参考单元电路及使用该电路的可变电阻型非易失性存储装置制造方法及图纸

包括：参考单元(201a、b)，具有可变电阻元件，该可变电阻元件根据电信号的施加而在规定的低电阻状态LR与高电阻状态HR之间可逆地发生变化；比较器(204)，比较参考单元(201a、b)的电阻值；脉冲生成电路(202)，生成用于将参考单元(201a、b)设定为LR及HR中的任一方的电信号；以及控制电路(206)，控制以下动作，即将所生成的电信号施加给参考单元(201a、b)中的与比较器(204)的比较结果对应的一方，之后反复进行向参考单元(201a、b)中的与比较器(204)的新的比较结果对应的一方施加通过脉冲生成电路(202)生成的新的电信号的动作，之后将参考单元(201a、b)中的与比较器(204)的最终比较结果对应的一方连接到输出端子(208)上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种由根据电信号可逆地改变电阻值的可变电阻型存储元件构成的存储器单元可变电阻型非易失性存储装置。
技术介绍
近年来，包括用可变电阻型存储元件构成的存储器单元的非易失性存储装置的研究开发得到进展。可变电阻型存储元件是指具有电阻值随着电信号等可逆地变化的性质、且能够非易失性地存储与该电阻值对应的数据的元件，基于氧化还原反应引起的电阻值变化的ReRAM、基于磁阻变化的MRAM、基于相变化引起的电阻值变化的PCRAM等相当于此。并且，作为使用了上述可变电阻型存储元件的非易失性存储装置，公知有如下装置在正交配置的位线与字线、源极线之间的交点位置上串联连接了 MOS晶体管和可变电 阻型存储元件的、所谓ITlR型的非易失性存储装置；同样在正交配置的位线与字线之间的交点位置上串联连接了二极管元件和可变电阻型存储元件的、所谓交叉点型的非易失性存储装置。通常从存储装置进行的读出，公知一般有以下参考单元方式(也称为虚拟单元方式)构成具有与所存储的数据“I”及数据“O”对应的存储信息的中间状态的信息的参考单元(还称为虚拟单元)，与从存储器单元读出的信息比较其大小关系，判断是数据“I”还是数据本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛川一彦，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：