可变电阻存储器件及操作其的方法技术

一种可变电阻存储器件可以包括：存储区域和控制器。存储区域可以包括多个单位存储单元，每个单位存储单元电连接在字线与位线之间。控制器可以响应于读取命令来执行字线的驱动操作。控制器可以基本上与字线的驱动操作同时地执行位线的驱动操作以通过位线输出单元数据。单位存储单元中的每个可以包括可变电阻材料。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年3月4日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0030473的韩国申请的优先权，通过引用其全部合并于此。
各种实施例总体涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种可变电阻存储器件和操作该可变电阻存储器件的方法。
技术介绍
已经开发了具有大储存容量和快速操作速度同时仍然消耗较低量的功率的半导体存储器件。半导体存储器件通常可以被分类为易失性存储器件或非易失性存储器件。非易失性存储器件种类的快闪存储器件可以使用较长时间。近来，非易失性存储器件种类的可变电阻存储器件正在被广泛使用。可变电阻存储器件具有根据数据储存材料的电阻来确定的数据的逻辑电平。半导体存储器件的操作速度由各种因素确定。所述因素中的任意一种可以包括读取循环时间(tRC)。tRC可以与存储单元之内的数据响应于读取命令的输出时间有关。随着半导体存储器件变得高度集成，半导体存储器件的存储区域之内的单元的数量大大增加。tRC的确定可以与位线负载和字线负载相关。
技术实现思路
在实施例中，可以提供一种可变电阻存储器件。该可变电阻存储器件可以包括：存储区域和控制器。存储区域可以包括多个单位存储单元，每个单位存储单元电连接在字线与位线之间。控制器可以响应于读取命令来执行字线的驱动操作。控制器可以与字线的驱动操作基本上同时地执行位线的驱动操作以通过位线输出单元数据。单位存储单元中的每个可以包括可变电阻材料。在实施例中，可以提供一种操作包括存储区域和控制器的可变电阻存储器件的方法。存储区域可以包括单位存储单元，每个单位存储单元电连接在字线与位线之间并且
包括可变电阻材料。控制器可以被配置为控制存储区域。在操作可变电阻存储器件的方法中，控制器可以响应于读取命令来执行字线的驱动操作。控制器可以与字线的驱动操作基本上同时地执行位线的驱动操作以通过位线输出单元数据。附图说明图1是图示根据实施例的可变电阻存储器件的示例的代表的框图。图2是图示根据实施例的操作可变电阻存储器件的方法的示例的代表的电路图。图3是图示根据实施例的操作可变电阻存储器件的方法的示例的代表的时序图。图4是图示根据实施例的操作可变电阻存储器件的方法的时序图的示例。图5是图示根据实施例的可变电阻存储器件的示例的代表的框图。图6是图示根据实施例的电子系统的示例的代表的框图。具体实施方式在下文中将参照附图描述各种示例性实施例，在附图中图示了实施例的一些示例。然而，实施例可以以很多不同的形式来实现并且不应当被解释为局限于本文中所阐述的实施例的示例。更确切地说，实施例的这些示例被提供使得本公开将是彻底和完整的，并且这些实施例将把本申请的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、被称为“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上、直接连接至或耦接至另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反地，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、被称为“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。相同的附图标记自始至终指代相同的元件。如本文中所用，术语“和/或”包括相关所列项中的一种或更多种的任意组合和所有组合。本文中所使用的术语是仅出于描述实施例的特定示例的目的而非意在对本申请进行限制。如本文中所使用的，除非上下文明确指示相反，否则单数形式“一”、“一个”和“该”也意在包括复数形式。还将理解的是当术语“包括”和/或“包括有”在本说明书中被使用时，其列举陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组。除非另有定义，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本申请所属领域技术人员通常所理解的相同的意思。还将理解的是除非在本文中明确地这样定义，否则术语(诸如在常用字典中定义的那些术语)应当被解释为具有与其在相关领域的环境中的意思一致的意思，而将不以理想化的或过于正式的意义来解释。在下文中，将参照附图来解释示例性实施例。图1是图示根据实施例的可变电阻存储器件的示例的代表的框图。参照图1，可变电阻存储器件10的示例可以包括存储区域100、行解码器(XDEC)140和列解码器(YDEC)150。可变电阻存储器件10可以包括读写电路(WD/SA)160、全局位线开关块(GYSW)170和控制器180。存储区域100可以包括多个单元块110、局域位线开关块(LYSW)120和子字线驱动块(SWD)130。局域位线开关块(LYSW)120可以布置在单元块110的一侧。子字线驱动块(SWD)130可以布置在单元块110的另一侧以驱动子字线SWL。子字线驱动块(SWD)130可以与局域位线开关块120相交。单元块110中的每个可以包括具有多个存储单元的单元阵列CA。存储单元可以电连接在字线MWL和SWL与位线BL之间。虽然未在图1中描绘，但是参照图2，存储单元中的每个(即，单位存储单元112)可以包括可变电阻材料VR和开关元件SW。参照图1，子孔SH可以布置在局域位线开关块(LYSW)120与子字线驱动块(SWD)130之间的相交位置。用于驱动子字线驱动块(SWD)130的驱动器、输入/输出开关等可以布置在子孔SH中。在实施例的示例中，在单元块110中的延伸至局域位线开关块120的位线可以被称为位线BL。从局域位线开关块120延伸至全局位线开关块170的位线可以被称为局域位线LBL。从全局位线开关块170延伸至读写电路160的位线可以被称为全局位线GBL。从行解码器140延伸至子字线驱动块130的字线可以被称为主字线MWL。从子字线驱动块130延伸至存储单元块110的字线可以被称为子字线(SWL)。在下文中，字线的驱动方法可以对应于通过电连接至要被访问的存储单元的主字线MWL来驱动子字线SWL。可变电阻存储器件中的读取操作可以包括字线的驱动操作(即，子字线SWL的驱
动操作)和位线BL的驱动操作。控制器180可以控制彼此基本上同时执行的字线驱动操作和位线BL驱动操作。图2是图示根据实施例的操作可变电阻存储器件的方法的示例的代表的电路图。参照图1和图2，连接至单位存储单元112的主字线MWL(其可以对应于从控制器180提供以用于驱动字线的行地址)可以响应于读取命令而被激活。通过子字线驱动块130(见图1)连接至单位存储单元112的子字线SWL可以被驱动以将预定电平的电压提供给存储单元112的子字线SWL(即，SW0至SW3)。位线BL(即，BL0至BL3)的驱动操作可以通过位线BL来输出单元数据。位线BL的驱动操作可以包括用于预充电位线BL的操作、用于稳定位线BL的操作以及用于感测并输出感测到的数据的操作。连接至单位存储单元112(可以对应于从控制器180(见图1)提供的列地址)的全局位线开关172和局域位线开关122可以响应于读取命令而导通。预定电平的预充电电压可以通过全局位线GBL和局域位线LBL被施加至位线BL。用于稳定位线BL(即，BL0至BL3)的操作可以对应于在将预充电电压施加至位线BL之后、位线BL本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可变电阻存储器件，包括：存储区域，包括多个单位存储单元，每个单位存储单元电连接在字线与位线之间；以及控制器，被配置为与用于通过位线输出单元数据的位线的驱动操作同时地响应于读取命令来执行字线的驱动操作，其中，单位存储单元中的每个包括可变电阻材料。

【技术特征摘要】
2015.03.04 KR 10-2015-00304731.一种可变电阻存储器件，包括：存储区域，包括多个单位存储单元，每个单位存储单元电连接在字线与位线之间；以及控制器，被配置为与用于通过位线输出单元数据的位线的驱动操作同时地响应于读取命令来执行字线的驱动操作，其中，单位存储单元中的每个包括可变电阻材料。2.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，每个单位存储单元的可变电阻材料耦接在位线与字线之间。3.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，位线的驱动操作包括预充电所述位线、稳定所述位线以及感测并输出单元数据。4.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，控制器将用于驱动所述字线的时间控制成基本上与用于驱动所述位线的时间相同。5.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，控制器在执行所述位线的驱动操作之前，与所述字线的驱动操作同时地将所述位线放电...

【专利技术属性】
技术研发人员：庆箕明，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR