具有双写入驱动器的相变存储器制造技术

一种具有双写入驱动器的相变存储器（PCM）。PCM设备包括：存储阵列，其具有位线，所述位线具有第一端和第二端，所述第一端和第二端用于存取耦合到所述位线的、在所述位线的所述第一端和所述第二端之间的PCM单元；第一写入驱动器和第二写入驱动器，它们分别耦合到所述位线的所述第一端和所述位线的所述第二端，用于当向所述PCM单元写入时同时向所述PCM单元供应电流；以及，感测放大器，其耦合到所述位线的所述第二端，用于当从所述PCM单元读取时感测所述PCM单元的电阻。本发明专利技术的实施例提供了具有降低的写入电流要求的设备、方法和系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及相变存储器(PCM)，并且更具体地涉及具有双写入驱动器的PCM。
技术介绍
传统的相变存储器(PCM)装置使用诸如硫族化物的相变材料来存储数据，该材料能够稳定地在非晶相和晶相之间转变。非晶相和晶相(或状态)显示出不同的电阻值，该不同的电阻值用于区分在存储装置中的存储器单元的不同逻辑状态。具体地说，非晶相显示较高的电阻，而晶相显示较低的电阻。至少一种相变存储装置——PRAM——使用非晶态来表示逻辑“ I ”，并且使用晶态来表示逻辑“O”。在PRMA装置中，晶态被称为“置位状态”，而非晶态被称为“复位状态”。因此，在PRAM中的存储器单元通过将在存储器单元中的相变材料设置为晶态来存储逻辑“0”，并且存储器单元通过将相变材料设置为非晶态来存储逻辑“I”。在PRAM中的相变材料通过下述方式来被转换为非晶态将该材料加热到大于预定熔化温度的第一温度，然后迅速地冷却该材料。相变材料通过下述方式被转换为晶态在低于熔化温度但是大于结晶温度的第二温度下将该材料加热持续的时间段。因此，通过使用如上所述的加热和冷却将在PRAM的存储器单元中的相变材料在非晶态和晶态之间转换，来将数据编本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘弘柏，
申请(专利权)人：莫塞德技术公司，
类型：
国别省市：