具有改进的稳定性和减小的位单元大小的低功率5T SRAM制造技术

一种5晶体管静态随机存取存储器5T?SRAM经设计以实现减小的单元大小和对工艺变化的免疫力。所述5T?SRAM(400)包含用于存储数据的存储元件(402)，其中所述存储元件耦合到第一电压与接地电压。所述存储元件可包含对称大小的交叉耦合的反相器。单一存取晶体管(M5)控制所述存储元件(402)上的读取和写入操作。控制逻辑(M6、M6′)经配置以产生与针对读取操作的所述第一电压的值不同的针对写入操作的所述第一电压的所述值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
所揭示的实施例针对静态随机存取存储器(SRAM)单元。更特定来说，示范性实施例针对5晶体管(5T) SRAM单元的低功率、高稳定性且较小布局大小架构。
技术介绍
SRAM常规上用于其中速度和低功率为考虑因素的应用中。SRAM单元较快且不需要动态更新，如在动态随机存取存储器(DRAM)单元的情况中就是如此。常规SRAM单元的 结构包括两个交叉耦合反相器，其常规上由四个互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管形成。交叉耦合反相器形成基本存储元件，其具有表示互补二进制值“O”和“I”的两个稳定状态。称为“存取晶体管”的两个额外晶体管用以控制读取和写入操作期间对存储元件的存取。因此，常规SRAM单元架构涉及六个晶体管,且一般称为6T SRAM单元。图I说明常规6T SRAM单元100。存储元件包括晶体管Ml到M4。通过将字线WL驱动到正电源电压VDD来起始单元100上的写入操作。存取晶体管M5和M6将互补位线上的值写入到存储元件中。在读取操作中，互补位线均预充电到预先定义的值，所述值常规上为VDD。一旦字线被激活，存储在存储元件中的互补值就作用以将位线中的一者放电，同时位线中的另一者维持在预本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金圣克，朴贤国，宋森秋，穆罕默德·哈桑·阿布拉赫马，格立新，王忠泽，韩秉莫，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：
国别省市：