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一种5晶体管静态随机存取存储器5T?SRAM经设计以实现减小的单元大小和对工艺变化的免疫力。所述5T?SRAM(400)包含用于存储数据的存储元件(402)，其中所述存储元件耦合到第一电压与接地电压。所述存储元件可包含对称大小的交叉耦合的反...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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