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本发明公开了一种相变存储器。该相变存储器具有多个块单元。所述块单元交替地被选择。交替的块单元选择抑制了子字线和通过子字线驱动器晶体管连接的地线上的峰值电流地弹跳。交替的位线选择避免了所选块单元中的邻近单元热干扰。...
该专利属于莫塞德技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过莫塞德技术公司授权不得商用。

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