【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例总体而言涉及一种，更具体而言，涉及一种用于在编程操作期间抑制位线的峰值电流增加的半导体器件。
技术介绍
图I是说明由于半导体器件的高集成度而增加位线负载的框图。参见图1，一种半导体器件包括用于储存数据的存储器单元阵列10。所述存储器单元阵列10包括第一至第k存储块MBl至MBk。第一至第k存储块MBl至MBk的每个包括每个都包括用于储存数据并与各个位线BL耦接的多个存储器单元的多个单元串(未示出)。半导体器件的高集成度导致在存储器芯片中存储块的数目和在每个存储块中单元串的数目的增加，且因而位线BL的负载会增加。更具体地，形成存储器芯片的存储块MBl至MBk的数目的增加引起每个位线BL的长度的增加。此外，随着单元串数目的增加,位线BL的数目增加，且因此负载NBL增加。如果位线BL的负载如上所述地增加，则在操作半导体器件时，例如，当对位线BL预充电时，位线BL的峰值电流会急剧上升。以下参照图2详细描述峰值电流的上升。图2是说明由于图I中的位线的负载的增加引起的峰值电流的曲线图。参见图2，位线BL的峰值电流与要预充电的位线BL的数目成反比。S卩，位线...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：单元串，所述单元串包括多个存储器单元；页缓冲器，所述页缓冲器包括锁存器和开关元件，其中所述开关元件被耦接在所述锁存器与耦接到所述单元串的位线之间；页缓冲器控制器，所述页缓冲器控制器被配置成在编程操作的位线设定操作期间将逐步上升的导通电压施加到所述开关元件。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘炳晟，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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