【技术实现步骤摘要】
低电力应用中擦除储存于非易失性存储器中的数据的方法和系统相关申请的交叉参考本申请要求2011年3月8日提出的、名称为“低电力应用中使用的非易失性存储器”的美国临时专利申请案第61/450,516的优先权,该案的全部内容以引用方式并入本申请中。
技术介绍
非易失性存储器(NVM)为许多应用,诸如个人音乐装置设备、数码相机和电脑硬盘驱动器,提供了灵活和低成本的数据存储。这些存储器中的许多存储器在领域中既是可写的又是可擦除的,以允许数据在后期制作中被改变。这些存储器的写入和擦除通常具有不同的电流设定档(currentprofiles),在电流设定档下,一操作需要的电流基本上大于其他操作需要的电流。此外,两个操作中的一个操作通常比另一个操作基本上需要较长的时间。如示范例,来自德州仪器(TexasInstruments)的MSP430F543XA微控制器包括192kB的配置成页的快闪存储器。根据MSP430F543XA数据表(SLAS655B-2010年1月-2010年10月修订),擦除512B的页需要1.8V下高达2mA电流,耗时32ms,总共需要约115.2uJ的能量。然而,写入存储器的一字节可用很小的能量完成:1.8V下5mA,耗时85us,总共需要0.77uJ的能量。一般地,在NVM中存储新值需要写入和擦除两操作;因而,改变所述值所需的最小能量由写入能量或擦除能量中的任一较大者设定。在可用能量受限的应用(例如,残骸电源(scavengedpowersupply))中,使用现有技术通常不可能同时满足写入和擦除能量需求。附图说明在下面的详细说明和附图中揭示本专利技术的 ...
【技术保护点】
一种擦除存储于非易失性存储器的存储位置中的数据的方法,其特征在于,所述方法包括:在第一时段期间在所述非易失性存储器的所述存储位置执行第一擦除操作;及在至少一个第二时段期间在所述非易失性存储器的所述存储位置执行第二擦除操作,其中,所述第一时段和所述至少一个第二时段为非相邻的时段,其中,所述第一擦除操作的时长短于可靠擦除存储于所述存储位置的数据所需的时长,及其中,所述第一时段和所述至少一个第二时段的时长的总和等于或长于擦除存储于所述存储位置的数据所需的时长。
【技术特征摘要】
2011.03.08 US 61/450,5161.一种擦除存储于非易失性存储器中的数据的方法,其特征在于,所述方法包括:在所述非易失性存储器第一页的多个存储位置中的第一存储位置写入M个字的数据;与所述第一存储位置的写入相关联,在第一时段期间在所述非易失性存储器的第二页执行第一擦除操作;在所述非易失性存储器第一页的多个存储位置中的至少一个第二存储位置中的每一个写入M个字的数据;与所述至少一个第二存储位置的写入相关联,在至少一个第二时段期间在所述非易失性存储器的第二页执行第二擦除操作,其中,所述第一时段和所述至少一个第二时段为非相邻的时段,其中,所述第一擦除操作的时长短于可靠擦除存储于所述第二页的数据所需的时长,其中,所述第一时段和所述至少一个第二时段的时长的总和等于或长于擦除存储于所述第二页的数据所需的时长,及其中,每次M个字的数据被写入到所述第一页的多个存储位置的一个存储位置,就在所述第二页上执行擦除操作,存储在所述第二页中的数据在N个擦除操作中被可靠擦除,N等于或小于所述第一页中的P个字的存储空间与每个写入操作中M个字的数据的比值,使得当所述第一页的P个字的存储空间已经被写入时,确定所述非易失性存储器的第二页被可靠擦除。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述非易失性存储器的第二页包括具有电荷存储层的记忆存储晶体管;所述在所述第一时段期间执行所述第一擦除操作包括:在所述第一时段期间在具有所述电荷存储层的所述记忆存储晶体管的控制栅极端和漏极端之间施加电压;及所述在所述至少一个第二时段期间执行所述第二擦除操作包括:在所述至少一个第二时段期间在具有所述电荷存储层的所述记忆存储晶体管的所述控制栅极端和所述漏极端之间施加电压。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:在所述第一时段和所述至少一个第二时段之前,通过使所述第二页的记忆存储单元从第一逻辑状态转变成第二逻辑状态,将数据存储于所述非易失性存储器的所述第二页,其中,通过使所述记忆存储单元从所述第二逻辑状态转变成所述第一逻辑状态,擦除存储于所述第二页的所述数据。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:在所述第一时段和所述至少一个第二时段之前,通过使电荷存储于所述第二页的记忆存储晶体管的电荷存储层,将数据存储于所述非易失性存储器的所述第二页,其中:所述执行所述第一擦除操作和所述第二擦除操作包括:使电荷从所述记忆存储晶体管的所述电荷存储层移除;当存储于所述电荷存储层上的所述电荷超过阀值时,所述记忆存储晶体管处于第一逻辑状态;在执行具有所述第一时段的时长的所述第一擦除操作后,存储于所述电荷存储层上的所述电荷超过所述阀值;及在执行具有所述第一时段的时长和所述至少一个第二时段的时长总和的时长的擦除操作后,存储于所述电荷存储层上的所述电荷低于所述阀值。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:保留总时长的记录,在所述总时长期间擦除操作已被执行;及当所述总时长超过预定时长时,确定存储于所述非易失性存储器的所述第二页的所述数据被可靠擦除。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:保留多个时段的记录,在所述多个时段期间擦除操作已被执行;及当所记录的时段数目超过预定时段数目时,确定存储于所述非易失性存储器的所述第二页的所述数据被可靠擦除。7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:利用具有能量输出的能量源向所述非易失性存储器供电;其中,从所述能量源可得到的最大能量输出小于执行擦除操作所需的能量输出,所述擦除操作具有可靠擦除存储于所述第二页的所述数据所需的时长。8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:利用具有能量输出的能量源向所述非易失性存储器供电;其中,从所述能量源可得到的所述能量输出大于执行具有所述第一时段的时长的所述第一擦除操作或具有所述至少一个第二时段中的任一者的时长的所述第二擦除操作所需的能量输出,且小于执行具有可靠擦除存储于所述第二页的所述数据所需的时长的擦除操作所需的能量输出。9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,从所述能量源可得到的所述能量输出用来给无线电装置供电,所述无线电装置用来与位于远离所述非易失性存储器处的装置通信。10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:在所述第一时段和所述至少一个第二时段之前,存储数据值于所述非易失性存储器的所述第二页;及使用所存储的数据值产生数据包以通过电磁波传输至远程装置。11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述非易失性存储器选自于包括以下内容的组:快闪存储器、基于电荷捕获技术的存储器、电气可擦除可编程只读存储器、磁阻随机存取存储器、铁电RAM、以及相位改变存储器。12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述非易失性存储器的所述存储位置包括存储页。13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述非易失性存储器选自于包括以下内容的组:NAND快闪存储器、NOR快闪存储器和基于SONOS的快闪存储器。14.一种擦除存储于非易失性存储器中的数据的系统,其特征在于,所述系统包括:非易失性存储器,其包括用于存储数据的存储空间;处理器,其耦合至所述非易失性存储器;以及用于在所述处理器内执行的一组指令,其中所述处理器对所述指令的执行配置所述系统成执行包含以下功能的功能:在所述非易失性存储器第一页的多个存储位置中的第一存储位置写入M个字的数据;与所述第一存储位置的写入相关联,在第一时段期间在所述非易失性存储器的第二页执行第一擦除操作;在所述非易失性存储器第一页的多个存储位置中的至少一个第二存储位置中的每一个写入M个字的数据;与所述至少一个第二存储位置的写入相关联,在至少一个第二时段期间在所述非易失性存储器的第二页执行第二擦除操作,其中,所述第一时段和所述至少一个第二时段为非相邻的时段,其中,所述第一擦除操作的时长短于可靠擦除存储于所述第二页的数据所需的时长,其中,所述第一时段和所述至少一个第二时段的时长的总和等于或长于擦除存储于所述第二页的数据所需的时长,及其中,每次M个字的数据被写入到所述第一页的多个存储位置的一个存储位置,就在所述第二页上执行擦除操作,存储在所述第二页中的数据在N个擦除操作中被...
【专利技术属性】
技术研发人员:戈登·亚历山大·查尔斯,马克西姆·莫伊谢耶夫,乔纳森·西蒙,
申请(专利权)人:尘埃网络股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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