预热基于激光的系统的方法技术方案

本发明专利技术提供一种预热基于激光的系统的方法。在一个实施例中，该基于激光的系统会侦测和处理模型相关联的触发信号。该处理模型对应于一组晶片。该系统会依据该处理模型而响应于该触发信号来自动调整一项或多项系统参数。该系统接着会使用所述经修正的系统参数来选择性地照射该组晶片中的至少一个晶片之上或之内的结构。在一实施例中，该触发信号包含和运动平台有关的热状态变异。该系统会响应于所述热状态变异而在一连串的移动中来操作该运动平台，直到抵达热均衡临界条件为止。举例来说，该移动序列可模拟用来处理特殊晶片的复数个移动。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总地涉及制造半导体集成电路。更特别地，涉及使用激光射束来处理半导体集成电路之上或之内的结构。
技术介绍
举例来说，通常会使用基于激光的处理系统来钻凿、车削、修整、切断、刻画、标记、劈裂、制造、加热、修改、扩散、退火、及/或测量半导体基板之上或之内的结构或材料。为了在集成电路(IC)的制造期间改良产量，通常还会希望基于激光的处理系统精确且快速地 处理该半导体基板之上或之内的选定结构。不过，公知的基于激光的处理系统通常是配合一组不变的参数进行调整与操作，来为希望由该系统处理的所有类型IC提供良好的精确性。此种一体适用(one-size-fits-all)的方式通常会降低处理速度并且降低总产量。举例来说，半导体连结线处理系统通常会在切断任何IC上的连结线时提供相同的精确程度。在制造期间，IC通常会因为各种理由而造成缺陷。据此，IC装置经常会设计成包含冗余电路组件，例如半导体存储器装置(举例来说，DRAM(动态随机存取存储器)、SRAM (静态随机存取存储器)、或是内建式存储器)中的备用内存单元列与行。这样的装置还会设计成在冗余电路组件的电接点之间包含特殊的激光可切断的连结线。举本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种预热基于激光的系统的方法，所述系统用以处理目标样本，所述方法包括：侦测热状态变异；以及响应于所述变异来仿真激光光点相对于目标样本之上或之内的复数个结构的移动。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：凯利·J·布鲁兰，柯林特·凡德吉亚森，杜安·艾特伦，
申请(专利权)人：伊雷克托科学工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：