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本发明涉及静态RAM。一种静态RAM包括：多条字线；多对局部位线；与所述多对局部位线和所述多条字线的交叉点相对应地排列的多个存储单元；针对所述多对局部位线中的每个布置的电容共享电路；连接多个电容共享电路的公共连接线；和连接到所述多对局部位线...
该专利属于富士通半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富士通半导体股份有限公司授权不得商用。

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