【技术实现步骤摘要】
一些示例实施例涉及操作半导体器件的方法，更具体地，涉及。
技术介绍
随着对具有较高的存储能力并消耗较少的功率的存储器件的需要增大，正在对不仅是非易失性的而且不需要被刷新的下一代存储器件进行研究。这样的下一代存储器件要求具有类似于动态随机存取存储器(DRAM)的高集成度特征、类似于闪速存储器的非易失性特征、类似于静态RAM (SRAM)的高速工作特性等等。近来，很多的注意已集中在下一代存储器件上，诸如相变RAM (PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合体RAM (PoRAM)、磁RAM(MRAM)、铁电RAM (FeRAM)和电阻RAM (RRAM)0在这些下一代存储器件当中，RRAM基于在足够高的电压施加于不导电的材料时产生电流流过的路径因而降低电性电阻的现象。在这种情况下，一旦产生该路径，就可以通过向不导电的材料施加足够的电压来取消或重新产生该路径。
技术实现思路
一些示例实施例涉及一种，其改善了关断电流的偏移(dispersion)以便增强半导体器件的可靠性。根据示例实施例，一种，该方法包括第一操作，向该可变电阻器件施加第一电压以将该可变电阻器件的电阻值...
【技术保护点】
一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，该方法包括：第一操作，向可变电阻器件施加第一电压，以将该可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值，第二电阻值与第一电阻值不同；第二操作，感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流；第三操作，确定该第一电流是否落入与多电平数据的电平对应的测试范围之内；第四操作，当该第一电流落入该测试范围之内时，基于感测的第一电流的偏移确定用于将该可变电阻器件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压；第五操作，向该可变电阻器件施加该第二电压；以及第六操作，重复向被施加该第二电压的可变电阻器件施加该第一电压。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张晚，金英培，金昌桢，李明宰，朴晟准，许智贤，李东洙，李昌范，李承烈，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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