【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微纳米电子
，涉及一种信息存储器的编程技术，特别是涉及以及相变存储器电路的快速擦写操作方法。
技术介绍
相变存储器(Phase Change Memory)作为新一代的非易失性存储器，是基于Ovshinsky 在 20 世纪 60 年代末(Phys. Rev. Lett. , 21，1450 1453，1968) 70 年代初(AppI. Phys. Lett. , 18，254 257，1971)提出的相变薄膜可以应用于相变存储介质的构想建立起来的，是一种价格便宜、性能稳定的存储器件。相变存储器可以做在硅晶片衬底上，其关键材料是可记录的相变薄膜、加热电阻材料、绝热材料和引出电极材料。相变存储器由存储单元阵列与外部驱动电路构成，每个存储单元具有一些相变材·料来存储数据。依赖于诸如硫系化合物相变材料(例如，GeTeAsSi、GeTe、GeSbTe (GST)、GeTeBi, GeSbAg等)，这一类的材料可以在晶相和非晶相之间稳定地可逆地转变，其中的典型代表材料为一种含锗、锑、碲的合成材料(GST)。将相变材料结合到电路中，可以使得所述存储单...
【技术保护点】
一种相变存储的快速擦写操作方法，其特征在于，进行擦操作的SET编程脉冲依次为预编程脉冲及编程脉冲，所述预编程脉冲使得相变存储单元超越相变的开关阈值，保持时间小于写操作的RESET脉冲操作时间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宏潇，陈后鹏，宋志棠，陈一峰，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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