一种复合相变薄膜材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种可用于相变存储器的相变速率、热稳定性优秀的复合相变薄膜材料(Ge/Ge2Sb2Te5)n及其制备方法。薄膜材料为(Ge/Ge2Sb2Te5)n，其由n组Ge/Ge2Sb2Te5复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括一层Ge纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜；除最外层Ge2Sb2Te5薄膜外，其余Ge2Sb2Te5薄膜的两侧表面均处于富Ge环境，使得Ge2Sb2Te5更有可能处于四面体结构而不是缺陷的八面体结构，从而有效的调控其相变特性。与现有的相变存储材料Ge2Sb2Te5相比，本发明专利技术提供的Ge/Ge2Sb2Te5新型复合相变薄膜能够实现更高的、可调控的结晶温度，更快的、可调控的结晶速率以及良好的热稳定性与数据保持力，同时还可以提供较高的晶态电阻。

【技术实现步骤摘要】
201610363525

【技术保护点】
一种复合相变薄膜材料，其特征在于：所述薄膜材料为(Ge/Ge2Sb2Te5)n，其由n组Ge/Ge2Sb2Te5复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括一层Ge纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜；除最外层Ge2Sb2Te5薄膜外，其余Ge2Sb2Te5薄膜的两侧表面均处于富Ge环境。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑龙，朱小芹，邹华，吴卫华，胡益丰，袁丽，刘波，薛建忠，张建豪，眭永兴，翟良君，裴明旭，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32