用同步耦合编程非易失性存储器制造技术

用于编程非易失性存储器的处理通过相邻字线的同步耦合能够实现更快速的变成速度和/或更准确的编程。编程的处理包括升高连接到一组连接的非易失性存储元件的字线集的电压。该字线集包括所选字线（WLn）、与所选字线相邻的未选字线（WLn+1/WLn-1）以及其他未选字线（WLunsel）。在升高该字线集的电压之后，该处理包括将所选字线进一步升高到编程电压（Vpgm）以及与将所选字线升高到编程电压同时，将与所选字线相邻的未选字线进一步升高到一个或多个电压电平（Vint1，Vint2，Vint3）。该编程电压致使所述非易失性存储元件中的至少一个经历编程。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及编程非易失性存储器。
技术介绍
半导体存储器器件已经变得更普遍用在各种电子设备中。例如，非易失性半导体存储器用在蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备和其他设备中。电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和闪存是最普遍的非易失性半导体存储器之中的。EEPROM和闪存两者利用位于半导体基板中的沟道区域之上并与该沟道区域隔离 的浮置栅极。该浮置栅极位于源极和漏极区域之间。在浮置栅极之上并与该浮置栅极隔离地提供控制栅极。晶体管的阈值电压由浮置栅极上保留的电荷量控制。即，在晶体管道通之前必须施加到控制栅极以允许在其源极和漏极之间导电的最小电压量由浮置栅极上的电荷水平控制。当编程EEPROM或者闪存器件时，通常编程电压被施加到控制栅极，并且位线接地。来自沟道的电子被注入浮置栅极中。当电子在浮置栅极中累积时，浮置栅极变得负充电(negatively charged),并且存储器单元的阈值电压升高,使得存储器单元处于被编程状态。可以在题为“Source Side Self Boosting Technique for Non-Volatile Memory”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：N莫克莱西，H钦，东谷政昭，
申请(专利权)人：桑迪士克科技股份有限公司，
类型：
国别省市：