【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体元件，且特别是涉及。
技术介绍
非挥发性存储器元件由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点，所以已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。一般而言，非挥发性存储器可以细分为可抹除可编程的只读存储器(ErasableProgrammable ROM, EPROM)、电子式可抹除可编程的只读存储器(Electrically ErasableProgrammable ROM，EEPROM)、掩模式只读存储器(Mask ROM)、单次可编程的只读存储器 (One Time Programmable ROM, 0TPR0M)等。对于可抹除可编程的只读存储器与电子式可抹除可编程的只读存储器而言，由于可抹除可编程的只读存储器与电子式可抹除可编程的只读存储器具有写入与抹除的功能，而为实际应用的较佳选择。但是，相对的可抹除可编程的只读存储器与电子式可抹除可编程的只读存储器的制作工艺较为复杂且会使成本提高。对于掩模式只读存储器而言，虽然掩模式只读存储器的制作工艺简单、成本较低，但是需以光掩模定义欲写入的数据，因此在使用上限制较多。对于单次可编程...
【技术保护点】
一种使用耦合沟道的反熔丝存储器，包括：基底；第二导电型的第一掺杂区，设置于该基底中；反熔丝栅极，设置于该基底上；以及反熔丝层，设置于该反熔丝栅极与该基底之间；耦合栅极，设置于该第一掺杂区与该反熔丝栅极之间的该基底上，该耦合栅极与该反熔丝栅极间隔一间隙；以及栅极介电层，设置于该耦合栅极与该基底之间，其中于该耦合栅极及该反熔丝栅极施加电压以产生一边缘电场效应，通过该边缘电场效应于该反熔丝栅极与该耦合栅极之间的该基底中形成感应电荷，并形成一反转沟道。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢皓彦，陈信铭，杨青松，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。