记忆体结构及其制造方法技术

技术编号:8131768 阅读:370 留言:0更新日期:2012-12-27 04:23
本发明专利技术是有关于一种记忆体结构及其制造方法。该记忆体结构,包括记忆胞,而记忆胞包括下列构件。第一栅极设置于基底上。堆叠结构包括设置于第一栅极上的第一介电结构、通道层、第二介电结构与第二栅极、设置于第一介电结构中的第一电荷储存结构、及设置于第二介电结构中第二电荷储存结构。其中,第一电荷储存结构与第二电荷储存结构中的至少一者包括实体上分离设置的两个电荷储存单元。第一介电层设置于堆叠结构两侧的第一栅极上。第一源极与漏极及第二源极与漏极设置于第一介电层上且位于通道层的两侧。因此本发明专利技术可以解决由第二位元效应所造成的读取错误,并降低由二次热电子所造成的程序化干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,特别是涉及一种具有多个实体上分离的电荷储存单元的。
技术介绍
记忆体是设计用来储存资讯或资料的半导体元件。当电脑微处理器的功能变得越来越强,软件所进行的程序与运算也随之增加。因此,记忆体的容量需求也就越来越高。在各式的记忆体产品中,非挥发性记忆体,例如可电擦除可程序化只读记忆体(ElectricallyErasable Programmable Read Only Memory,EEPROM)允许多次的资料程序化、读取及擦除操作,且其中储存的资料即使在记忆体被断电后仍可以保存。基于上述优点,可电擦除可程序化只读记忆体已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种记忆体。 典型的可电擦除且可程序化只读记忆体是以掺杂的多晶硅制作浮置栅极(floating gate)与控制栅极(control gate)。当记忆体进行程序化(program)时,注入浮置栅极的电子会均匀分布于整个多晶硅浮置栅极之中。然而,当多晶硅浮置栅极下方的穿隧氧化层有缺陷存在时,就容易造成元件的漏电流,影响元件的可靠度。因此,为了解决可电擦除可程序化只读记忆体漏电流的问题,目前现有习知的一种方法是采用含本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种记忆体结构,其特征在于其包括一记忆胞,该记忆胞包括:一第一栅极,设置于一基底上;一堆叠结构,包括:设置于该第一栅极上的一第一介电结构、一通道层、一第二介电结构与一第二栅极;一第一电荷储存结构,设置于该第一介电结构中;及一第二电荷储存结构,设置于该第二介电结构中,其中该第一电荷储存结构与该第二电荷储存结构中的至少一者包括实体上分离设置的两个电荷储存单元;一第一介电层,设置于该堆叠结构两侧的该第一栅极上;以及一第一源极与漏极及一第二源极与漏极,设置于该第一介电层上且位于该通道层的两侧。

【技术特征摘要】
1.一种记忆体结构,其特征在于其包括一记忆胞,该记忆胞包括 一第一栅极,设置于一基底上; ー堆叠结构,包括 设置于该第一栅极上的一第一介电结构、一通道层、一第二介电结构与一第二栅极; 一第一电荷储存结构,设置于该第一介电结构中;及 一第二电荷储存结构,设置于该第二介电结构中,其中该第一电荷储存结构与该第二电荷储存结构中的至少ー者包括实体上分离设置的两个电荷储存单元; 一第一介电层,设置于该堆叠结构两侧的该第一栅极上;以及 一第一源极与漏极及ー第二源极与漏极,设置于该第一介电层上且位于该通道层的两侦れ2.根据权利要求I所述的记忆体结构法,其特征在于其中所述的第一电荷储存结构与该第二电荷储存结构皆为实体上分离设置的两个电荷储存单元。3.根据权利要求I所述的记忆体结构法,其特征在于其中所述的第一电荷储存结构为単一个电荷储存单元,该第二电荷储存结构为实体上分离设置的两个电荷储存单元。4.根据权利要求I所述的记忆体结构法,其特征在于其中所述的第一电荷储存结构为实体上分离设置的两个电荷储存单元,该第二电荷储存结构为单ー个电荷储存单元。5.根据权利要求I所述的记忆体结构法,其特征在于其中当该记忆体结构包括多个记忆胞吋,该些记忆胞堆叠设置。6.一种记忆体结构的制造方法,其特征在于其包括以下步骤 在一基底上形成一第一栅极; 在该第一栅极上形成ー堆叠结构,且该堆叠结构包括 设置于该第一栅极上的一第一介电结构、一通道层、一第二介电结构与一第二栅极; 一第一电荷储存结构,设置于该第一介电结构中,且包括实体上分离设置的两个第一电荷储存单元;以及 一第二电荷储存结构,设置于该第二介电结...

【专利技术属性】
技术研发人员:程政宪
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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