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本发明是有关于一种记忆体结构及其制造方法。该记忆体结构，包括记忆胞，而记忆胞包括下列构件。第一栅极设置于基底上。堆叠结构包括设置于第一栅极上的第一介电结构、通道层、第二介电结构与第二栅极、设置于第一介电结构中的第一电荷储存结构、及设置于第二...
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