【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种用于平板显示设备的底板、一种包括该底板的平板显示设备以及一种制造该用于平板显示设备的底板的方法。
技术介绍
包括有机发光显示设备和液晶显示设备的平板显示设备形成在有源型底板上，所述底板包括形成在每个像素中的薄膜晶体管(TFT)和电容器，以实现高分辨显示。因为氧化物半导体TFT具有高性能特性且能够在低温下被加工，所以氧化物半导体TFT被认为是能够应用到用于平板显示设备的底板的最优装置。然而，包括氧化物半导 体TFT的用于平板显示设备的底板的制造工艺通常包括多个掩模工艺，从而增加了制造成本。
技术实现思路
为了解决上面和/或其他问题，本公开提供一种可以以简单工艺制造且具有高质量显示的用于平板显示设备的底板、一种包括所述底板的平板显示设备和一种制造所述底板的方法。根据一方面，提供一种用于平板显示设备的底板，所述底板包括基底；像素电极，位于基底上，并包括透明导电材料；电容器第一电极，与像素电极形成在同一层；第一保护层，覆盖像素电极的上边缘和电容器第一电极；薄膜晶体管(TFT)的栅电极，形成在第一保护层上；电容器第二电极，与栅电极形成在同一层；第一绝缘层，覆盖栅...
【技术保护点】
一种用于平板显示设备的底板，所述底板包括：基底；像素电极，位于基底上，并包括透明导电材料；电容器第一电极，与像素电极形成在同一层；第一保护层，覆盖像素电极的上边缘和电容器第一电极；薄膜晶体管的栅电极，形成在第一保护层上；电容器第二电极，与栅电极形成在同一层；第一绝缘层，覆盖栅电极和电容器第二电极；半导体层，形成在第一绝缘层上并包括透明导电材料；第二绝缘层，覆盖半导体层；薄膜晶体管的源电极和漏电极，形成在第二绝缘层上，其中，源电极和漏电极穿过第二绝缘层连接到半导体层，源电极和漏电极中的至少一个连接到像素电极；以及第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极，并暴露像素电极。
【技术特征摘要】
2011.05.20 KR 10-2011-00479441.一种用于平板显示设备的底板，所述底板包括 基底； 像素电极，位于基底上，并包括透明导电材料； 电容器第一电极，与像素电极形成在同一层； 第一保护层，覆盖像素电极的上边缘和电容器第一电极； 薄膜晶体管的栅电极，形成在第一保护层上； 电容器第二电极，与栅电极形成在同一层； 第一绝缘层，覆盖栅电极和电容器第二电极； 半导体层，形成在第一绝缘层上并包括透明导电材料； 第二绝缘层，覆盖半导体层； 薄膜晶体管的源电极和漏电极，形成在第二绝缘层上，其中，源电极和漏电极穿过第二绝缘层连接到半导体层，源电极和漏电极中的至少一个连接到像素电极；以及第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极，并暴露像素电极。2.如权利要求I所述的底板，其中，电容器第一电极由与用于形成像素电极的材料相同的材料形成。3.如权利要求I所述的底板，其中，透明导电材料是从由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌组成的组中选取的至少一种。4.如权利要求I所述的底板，其中，像素电极还包括半透明金属层。5.如权利要求4所述的底板，其中，半透明金属层包括银。6.如权利要求I所述的底板，其中，第一保护层是绝缘层。7.如权利要求I所述的底板，其中，电容器第二电极由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成。8.如权利要求I所述的底板，其中，半导体层包括从由镓Ga、铟In、锌Zn、铪Hf和锡Sn组成的组中选取的至少一种金属和氧O。9.如权利要求I所述的底板，其中，源电极和漏电极中的一个通过同时穿过第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层的通孔连接到像素电极。10.如权利要求I所述的底板，其中，第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层形成暴露像素电极的上表面的开口，第一保护层形成的蚀刻表面与第一绝缘层和第二绝缘层形成的蚀刻表面形成间隙。11.如权利要求10所述的底板，所述底板还包括在第一保护层和第一绝缘层之间由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成的第二保护层，其中，形成开口的第二保护层、第一绝缘层和第二绝缘层中的每个层的蚀刻表面处于同一平面。12.如权利要求I所述的底板，其中，第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层形成暴露像素电极的上表面的开口，形成开口的第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层中的每个层的蚀刻表面处于同一平面。13.如权利要求12所述的底板，所述底板还包括在第一保护层和第...
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