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本发明公开一种使用耦合沟道的反熔丝存储器及其操作方法，包括第一导电型的基底、第二导电型的掺杂区、耦合栅极、栅极介电层、反熔丝栅极及反熔丝层。基底中具有隔离结构。掺杂区设置于基底中，且在掺杂区与隔离结构之间定义出沟道区。耦合栅极设置于掺杂区与...
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