一种半导体结构包括存储器裸片，该存储器裸片包括存储器侧键合焊盘。存储器侧键合焊盘包括电连接到字线或位线中的相应一者的第一类型存储器侧键合焊盘，以及电连接到源极层的第二类型存储器侧键合焊盘。第一类型存储器侧键合焊盘中的每个第一类型存储器侧...

一种非易失性存储装置在针对同一裸片的一个或多个块的一个或多个区中的非易失性存储器单元执行读取过程时将多个块中的多个区的未选择的字线连续地维持在一个或多个过驱动电压并且将多个块中的多个区的未选择的选择线连续地维持在一个或多个未选择的电压，...

一种存储器设备设置有存储器块，该存储器块包括多个字线和多个绝缘层交替的堆叠结构。该多条字线包括多个存储器单元。多个存储器孔延伸穿过该字线以及穿过该绝缘层。该存储器孔具有可变直径，使得该存储器孔中的一个存储器孔在该字线中的一个字线处的该直...

一种存储器器件包括存储器块，该存储器块具有布置在多个字线中的存储器单元阵列。该多个字线被分段为第一子块和第二子块。该存储器器件还包括电路，该电路被配置为：接收针对该第一子块的编程命令；以及向该第二子块的多个字线施加参考电压。该电路还被配...

一种存储器装置包括连接到字线的存储器单元。该存储器单元设置在存储器孔中并且被配置为保持与数据状态相对应的阈值电压。该存储器孔被组织成以串分组的行，该串包括多个块中的每个块。一种控制部件被配置为通过在智能验证操作中对连接到该字线中的一个字...

一种半导体器件通过一个或多个电容器安装到印刷电路板。电容器提供电支撑和机械支撑半导体器件的双重功能。多个半导体器件形成在衬底的面板上。支撑过孔形成在相邻衬底实例之间的锯道中、处于每个衬底实例的角部处。当从该面板分割出这些器件时，这些支撑...

本公开涉及具有串行编码器和解码器电路的多平面非易失性存储器。一种装置包括控制电路，该控制电路被配置为连接到非易失性存储器阵列的多个平面。该控制电路被配置为：将多个并行信号转换为多个串行信号，向用于该多个平面中的每个平面的相应控制电路传送...

对于使用阈值选择器开关(诸如双向阈值开关)的MRAM和其他存储器单元技术，当存取所选择的存储器单元(诸如用于读取)时，跨越该存储器单元的电压需要足以接通该阈值选择器开关。这会导致电流尖峰，该电流尖峰可损坏该存储器单元并且干扰写入其中的数...

要对MRAM存储器单元进行编程，电流必须从该存储器单元对应的位线流动到其对应的字线，或者从该字线流动到该位线。为了实现这一点，位线解码器和字线解码器必须能够提供电流(当将线路驱动为正时)和吸收电流(当将该线路拉低为负时)以考虑该存储器单...

一种非接触半导体管芯分割工艺利用压缩空气将半导体晶圆的第一部分与该半导体晶圆的第二部分分离。在该非接触半导体管芯分割工艺期间，该半导体晶圆被放置在切割带上。沿着该半导体晶圆中的各种划线形成沟道。当该沟道形成时，压缩空气工具沿着该沟道的长...

具有一个或多个双面NAND存储器设备的半导体封装件包括：中介层，该中介层包括一体形成在中介层内的多个多路复用器(MUX)；和多个双面NAND存储器设备，该多个双面NAND存储器设备被设置在中介层上方。双面NAND存储器设备电耦合到MUX...

一种存储器设备包括连接到字线并且被配置为保持与数据状态相对应的阈值电压的存储器单元。存储器单元设置在限定通道的存储器孔中。存储器单元形成包括第一子块和第二子块的块，该第二子块竖直设置在第一子块上方。控制构件被配置为在预充电操作中对存储器...

一种半导体封装件包括多个不同的衬底区段。每个衬底区段包括一个或多个电子组件。附加地，每个衬底区段使用各种导电柱和导电孔机械并电耦合在一起。因为该衬底区段是能够互连的，所以该半导体封装件的形状和/或尺寸是完全能够定制的。附加地，该半导体封...

提供了一种存储器装置和操作方法。该装置包括连接到字线并被配置为保持对应于数据状态的阈值电压的存储器单元。数据状态包括最高数据状态，在该最高数据状态中，与该最高数据状态相关联的存储器单元的该阈值电压高于针对数据状态中的其他数据状态的该阈值...

本文公开了一种存储器装置。该存储器装置包括存储器单元，该存储器单元各自连接至多根字线中的一根字线并且被配置为保持与多个数据状态中的一个数据状态相对应的阈值电压。该存储器单元设置在限定沟道的存储器孔穴中。控制装置被配置为：在该存储器孔穴中...

本公开涉及用于电子设备的可认证外壳。一种电子设备，该电子设备包括使用第一材料和第二材料形成的外壳。第一材料具有第一物理特性，并且第二材料具有不同于第一物理特性的第二物理特性。当第一材料和第二材料进行组合时，每种材料的物理特性之间的差异导...

一种装置包括被配置为连接到耦接到NAND串的字线的控制电路。该控制电路被配置为检测缺陷字线，向该字线施加单字线擦除电压以擦除该缺陷字线的存储器单元，并且在该缺陷字线的该存储器单元处于擦除状态的情况下，从该NAND串的相邻存储器单元读取数据。

在诸如固态驱动器之类的电子存储设备的背景下，散热外壳包括一个或多个热传导抑制器，该一个或多个热传导抑制器被插入在相应的顶部包封结构或底部包封结构中并且被定位在相对高温度的电子部件(诸如对应的PCB的ASIC控制器和/或PMIC)与相对低...

本发明涉及一种多层存储器，该多层存储器包括具有多个子块(例如，三个子块)的存储器块。基于有效片段计数来选择源块的垃圾收集操作可能不适用在其中子块具有对彼此的依赖性(例如，对于擦除或编程操作)的多层存储器中。本文呈现的实施方案提供可在这种...

一种数据存储设备包括纠错码(ECC)排序系统，该纠错码(ECC)排序系统确定解码计划表，其中将使用联合解码方案对已经未能通过初始解码过程的两个或更多个闪存存储器单元(FMU)进行解码。该ECC排序系统基于与每个FMU相关联的度量来生成该...