一种存储器设备包括：下部源极级半导体层；源极接触层；上部源极级半导体层；绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠、该上部源极级半导体层和该源极接触层；和存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器...

一种三维存储器器件包括源极结构，该源极结构具有被圆柱形竖直半导体沟道的内侧壁包围的部分。

存储器设备包括相应绝缘层和相应导电层的至少一个交替堆叠和竖直地延伸穿过该至少一个交替堆叠的存储器堆叠结构。层接触通孔结构接触该导电层中的一个导电层的顶部表面，并且由至少一个电介质间隔物并任选地由多个电介质支撑柱结构横向围绕，该至少一个电...

一种三维存储器设备包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；竖直延伸穿过该交替堆叠的存储器开口的阵列；在平面图中位于存储器开口的该阵列中的无存储器开口区域；位于存储器开口的该阵列中的存储器开口填充结构的阵列；和在该平面图中位于这些无存储器开口区域...

一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的至少一个交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直地延伸穿过该至少一个交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中；和横向延伸沟槽填充结构，该横向延伸沟槽填充结构接触该至少一个...

一种存储器设备包括控制器和使得该存储器设备能够支持具有一个或多个有缺陷存储体的存储器部件的寻址系统。在存储器部件制造过程的测试阶段期间，标识出带有有缺陷存储体的存储器部件并发起存储体重新映射过程。在该重新映射过程期间，更新存储体重新映射...

一种存储器设备包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠，其中三个最近邻存储器开口的最小单元形状为非等边三角形；以及存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中，其中该存储器开口填充结构...

本发明公开了一种存储器器件，该存储器器件包括：第一绝缘层和导电层的第一层交替堆叠，该第一层交替堆叠位于衬底上方；第二绝缘层和第二导电层的第二层交替堆叠，该第二层交替堆叠上覆于该第一层交替堆叠上；存储器堆叠结构，该存储器堆叠结构竖直延伸穿...

一种半导体结构包括第一场效应晶体管，该第一场效应晶体管包括第一栅极间隔物，该第一栅极间隔物具有与第一栅极电介质的第一横向笔直侧壁的顶部边缘重合的第一横向笔直底部边缘。该半导体结构还包括第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管包括：第二栅极电...

一种三维存储器设备包括导电层与绝缘层的横向间隔开的竖直堆叠。复合介电隔离结构在相邻的多对竖直堆叠之间提供电隔离。该复合介电隔离结构包括至少一个回刻台阶式介电材料部分，并且能够还包括至少一个鳍式绝缘支撑结构或者介电材料板的竖直堆叠。

一种存储器设备包括：交替堆叠，该交替堆叠包括绝缘层和导电层以及渐缩侧壁，该渐缩侧壁沿着第一水平方向横向延伸并且沿着第二水平方向倾斜；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构延伸穿过该交替堆叠内的每个层并且包括存储器元件和竖直半导体沟道；...

一种存储器设备包括：源极级材料层，该源极级材料层包含下部源极级半导体层、源极接触层和上部源极级半导体层；绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于该源极级材料层上方；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠并且进入该源极级材料层的上...

本发明公开了一种数据存储设备，在每次该数据存储设备退出低功率模式时，该数据存储设备可以检查存储器中的字线上的数据完整性。频繁地从该低功率模式退出导致该字线被读取多次，这可能导致读取干扰问题。为了缓解这个问题，在本文所公开的一个实施方案中...

一种形成三维存储器设备的方法包括：在衬底上形成绝缘层和半导体材料层的交替堆叠；以及穿过该交替堆叠形成横向绝缘电极结构和介电隔离柱结构的横向交替序列。该横向绝缘电极结构的至少一部分各自包括存储器膜和字线电极。

一种形成存储器设备的方法，该方法包括：在衬底之上形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠；穿过该交替堆叠形成存储器开口；在该等存储器开口中形成存储器开口填充结构，该等存储器开口填充结构包括：存储器元件的相应的竖直堆叠；和相应的竖直半导体沟道；穿...

一种存储器设备包括绝缘层和导电层的一对交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该一对交替堆叠中的相应一者；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中；横向隔离沟槽填充结构，该横向隔离沟槽填充结构位于该一对交替堆叠之...

一种半导体结构包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直地延伸穿过该交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中并且包括存储器膜、竖直半导体沟道和半导体顶盖结构，该半导体顶盖结构包括接触该竖直半...

一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于存储器开口中并且包括位于该导电层的层级处的存储器元件的竖直堆叠和竖直半导体沟道；层接触过孔结构...

一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠沿着第一水平方向横向延伸并且沿着第二水平方向由横向隔离沟槽横向间隔开；存储器开口阵列，该存储器开口阵列竖直延伸穿过该交替堆叠；存储器开口填充结构阵列，该存储器开口填充结构阵列位...

本公开提供了一种非易失性存储器，该非易失性存储器包括定位在非易失性存储器单元块的不同区域中的多个非易失性存储器单元。每个区域连接到不同单独且独立控制的选择线，使得可选择这些区域中的每个区域(例如，一次一个)用于存储器操作。为了执行读取操...