【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地涉及具有不同侧壁间隔物构型的高压场效应晶体管及其制造方法。
技术介绍
1、现有技术的高压场效应晶体管经常受到表面击穿电压的影响。此类晶体管通常具有复杂的扩展低掺杂漏极(ldd)，以改进表面击穿特性，但代价是工艺复杂和成本增加。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，一种半导体结构包括：第一场效应晶体管，该第一场效应晶体管位于衬底上方第一器件区中并且包括：第一有源区，这些第一有源区通过第一半导体沟道彼此横向间隔开；第一栅极电介质，该第一栅极电介质上覆于该第一半导体沟道上；第一栅极电极，该第一栅极电极上覆于该第一栅极电介质上；和第一栅极间隔物，该第一栅极间隔物具有第一横向笔直外侧壁，该第一横向笔直外侧壁具有与该第一栅极电介质的第一横向笔直侧壁的顶部边缘重合的第一横向笔直底部边缘。该半导体结构还包括：第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管位于该衬底的第二器件区中并且包括：第二有源区，这些第二有源区通过第二半导体沟道彼此横向间隔开；第二栅极电介质，该第二栅极电...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述衬底的上部部分中，包括所述第一器件区中的第一开口并且包括所述第二器件区中的第二开口，其中所述第一开口横向围绕所述第一有源区，并且所述第二开口横向围绕所述第二有源区。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述第二栅极间隔物的所述水平延伸部分在所述浅沟槽隔离结构的顶表面区段上方延伸并且接触所述顶表面区段。
5.根据权利要求3所述的半导体结构...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述衬底的上部部分中，包括所述第一器件区中的第一开口并且包括所述第二器件区中的第二开口，其中所述第一开口横向围绕所述第一有源区，并且所述第二开口横向围绕所述第二有源区。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述第二栅极间隔物的所述水平延伸部分在所述浅沟槽隔离结构的顶表面区段上方延伸并且接触所述顶表面区段。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述一对分立的栅极电介质开口中的每个分立的栅极电介质开口与所述浅沟槽隔离结构横向偏移，并且在俯视图中与所述浅沟槽隔离结构没有任何区域重叠。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述一对分立的栅极电介质开口中的每个分立的栅极电介质开口具有与所述第二栅极间隔物的所述一对分立的栅极间隔物开口中的相应分立的栅极间隔物开口的底部周边重合的相应顶部周边。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括平面化介电层，所述平面化介电层上覆于所述第一栅极间隔物和所述第二栅极间隔物中的每一者上并且接触所述每一者。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述第二有源区接触通孔结构中的每个第二有源区接触通孔结构竖直延伸穿过所述一对分立的栅极电介质开口中的相应分立的栅极电介质开口，并且竖直延伸穿过所述一对分立的栅极间隔物开口中的相应分立的栅极间隔物开口。
10.根据权利要求8所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构，所述半导体结构还包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述衬底的上部部分中，其中：
12.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：
13.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一栅极间隔物和所述第二栅极间隔物中的每一者包括氧化硅层和氮化硅层的相应介电层堆叠，其中所述第一栅极间隔物和所述第二栅极间隔物中的所述氧化硅层具有相同的第一厚度，并且所述第一栅极间隔物和所述第二
14.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括低压第三场效应晶体管，所述低压第三场效应晶体管位于所述衬底的第三器件区中并且包括：第三有源区，所述第三有源区通过第三半导体沟道彼此横向间隔开；第三栅极电介质，所述第三栅极电介质上覆于所述第三半导体沟道和所述第三有源区上并且具有比所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质的厚度更小的厚度。
15.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：
16.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一离子注入掩模结构还包括第一光致抗蚀剂层，所述第一光致抗蚀剂层覆盖所述第二有源区扩展、所述第二栅极电介质和所述第二栅极电极的所有区域，并且不覆盖所述第一有源区扩展、所述第一栅极电介质或所述第一栅极电极的任何区域。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第二离子注入掩模结构还包括第二光致抗蚀剂层，所述第二光致抗蚀剂层覆盖所述第一有源区扩展、所述第一栅极电介质和所述第一栅极电极的所有区域，并且不覆盖所述第二有源区扩展、所述第二栅极电介质或所述第二栅极电极的任何区域。
19.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括：
20.根据权利要求15所述的方法，其中：
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【专利技术属性】
技术研发人员：S·卡鲁穆里，安倍智久，神馆北斗，吉泽一隆，岩田大，石田昌司，小川裕之，肉户清和，青木康之，
申请(专利权)人：桑迪士克科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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