专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
桑迪士克科技股份有限公司
>
具有不同侧壁间隔物构型的高压场效应晶体管及其制造方法技术
>技术资料下载
下载具有不同侧壁间隔物构型的高压场效应晶体管及其制造方法的技术资料
文档序号:45869588
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构包括第一场效应晶体管,该第一场效应晶体管包括第一栅极间隔物,该第一栅极间隔物具有与第一栅极电介质的第一横向笔直侧壁的顶部边缘重合的第一横向笔直底部边缘。该半导体结构还包括第二场效应晶体管,该第二场效应晶体管包括:第二栅极电介质...
该专利属于桑迪士克科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过桑迪士克科技股份有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。