比特误码率(BER)估计扫描(BES)通常在扫描过程中使用静态读取阈值。这些固定阈值可能无法适应存储器单元特性的变化，从而导致BER估计和错误校正不理想。本文中所呈现的实施方案可用于通过提供BES与芯片上(例如，在控制器ASIC中)阈值...

一种非易失性存储器被配置为执行多个泄漏测试，该多个泄漏测试在一组非易失性存储器单元(例如，非易失性存储器单元的块)已接收到编程之后被集成到该组非易失性存储器单元的预擦除过程中。推断电路被配置为使用泄漏测试的结果、利用预训练模型来预测该组...

公开了一种用于在存储视频时减少字线到字线短路的影响的数据存储设备和方法。在一个实施方案中，提供了一种包括存储器和一个或多个处理器的数据存储设备，该存储器包括多个字线。该一个或多个处理器单独地或组合地被配置为：从主机接收用于存储在该存储器...

本发明提供了一种预测性读取阈值校准方法，其中使用专用硬件模块进行读取阈值校准。该硬件模块使用基于树的推理模型来生成基于多个读取阈值产生相应的推理结果的树。通过对这些树的这些推理结果求和来获得推理的读取阈值，并且使用该推理的读取阈值来对该...

一种形成三维存储器设备的方法包括：形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠；穿过该交替堆叠形成存储器开口；在该存储器开口中形成存储器开口填充结构；穿过该交替堆叠形成第一支撑开口和第二支撑开口；横向扩展该第一支撑开口而不扩展该第二支撑开口；分别在...

一种设备结构包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管和局部互连结构。该局部互连结构包括接触第一场效应晶体管的有源区域的顶表面的第一半导体柱结构、接触第一半导体柱结构的顶表面的金属结构、以及接触第二场效应晶体管的电节点的第二半导体柱结构。

一种三维存储器设备包括绝缘层与导电层的交替堆叠、竖直地延伸穿过交替堆叠的存储器开口、位于存储器开口中的存储器开口填充结构、以及层接触过孔结构的阵列。层接触过孔结构中的每个层接触过孔结构接触导电层中的相应导电层。层接触过孔结构的较浅第一子...

一种非易失性存储器包括：多个字线，该多个字线连接到非易失性存储器单元；多个驱动器线，该多个驱动器线被配置为承载一个或多个字线电压；和多个字线开关，该多个字线开关将这些驱动器线选择性地连接到这些字线。为了更高效地利用裸片上的空间，这些字线...

一种三维存储器设备包括：绝缘层和导电层的交替叠堆；存储器元件的三维阵列，存储器元件的该三维阵列嵌入在交替叠堆中；介电材料部分，该介电材料部分与交替叠堆相邻定位；连接过孔结构，该连接过孔结构竖直地延伸穿过介电材料部分；背侧连接焊盘腔，该背...

一种半导体结构包括：第一层绝缘层和第一层导电层的第一层交替堆叠；第二层绝缘层和第二层导电层的第二层交替堆叠，该第二层交替堆叠上覆于该第一层交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该第一层交替堆叠和该第二层交替堆叠；存储器开口填充结...

一种三维存储器设备，该三维存储器设备包括：绝缘层和导电层的一对交替堆叠，其中该一对交替堆叠通过横向隔离沟槽彼此横向间隔开；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过一对交替堆叠中的相应交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于存储...

一种非易失性存储器装置使用一个或多个参数来执行存储器操作，该一个或多个参数基于自上次擦除过程以来尚未经历编程的非易失性存储器单元的量(例如，百分比或比率)进行设定或调整。根据在非易失性存储器装置中测量的电流来确定自上次擦除过程以来尚未经...

一种半导体结构包括嵌入在接触级介电层中的接触级金属结构、上覆于接触级介电层的过孔级介电层、上覆于过孔级介电层的蚀刻阻止介电层、各自包括金属线部分和至少一个过孔部分的集成的线和过孔结构、上覆于相应金属线部分的顶部表面的离散蚀刻阻止介电顶盖...

键合组件包括第一半导体裸片，该第一半导体裸片被键合到第二半导体裸片。第一半导体裸片包括：第一电介质材料层，该第一电介质材料层位于第一半导体器件上；第一金属互连结构，该第一金属互连结构被嵌入在第一电介质材料层中并且电连接至第一半导体器件；...

本发明公开了一种半导体结构，该半导体结构包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于半导体层上；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替叠层和该半导体层；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中并且包含存储器膜和竖...

一种数据存储设备包括交叉温度缓解系统，该交叉温度缓解系统缓解当从该数据存储设备读取预加载的内容时出现的交叉温度问题。该数据存储设备存储预加载的内容的不同副本，并且当该数据存储设备在不同温度下操作时，预加载的内容的每个副本被写入到该数据存...

描述了用于基于子区域图形映射网络对多摄像机监控视频数据捕获进行预测性调整的系统、摄像机和方法。不同组的联网摄像机部署在整个区域中，并且基于摄像机的物理位置在子区域图形映射中表示，并且通过主图形映射相互关联。每组联网摄像机包括主摄像机，该...

本公开涉及相邻平面干扰问题的优化处理，并且提供了一种数据存储设备以及一种方法。分析并测试元块的存储器块以确定多个存储器块是否未通过第一故障评估。如果多于一个存储器块未通过第一故障评估，则将存储器块分配到重试池。当在重试池中时，在存储器块...

一种存储器设备包括：层堆叠，每个层堆叠包括相应的绝缘层和相应的导电层的相应交替堆叠以及相应的接触级介电层；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠中的相应交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中的相应存...

为了减少并行操作的多个NAND存储器管芯的系统在读取操作期间使用的电流尖峰，在读取的高电流子操作之前引入存储器管芯之间的相对延迟。读取操作中主要电流峰值的出现可取决于选定存储器块被编程的程度。例如，在闭合块中，主要峰值在斜升未选定字线时...