一种金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法技术

本发明专利技术涉及一种金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，包括以下步骤：S1.使用化学气相沉积法在铜薄膜表面沉积石墨烯，制得石墨烯/铜材料；S2.在步骤S1所述石墨烯/铜材料上沉积金属薄膜；S3.对步骤S2所得材料进行热处理，使金属薄膜与石墨烯/铜界面相结合，制得高导电石墨烯/铜金属材料。本发明专利技术有效解决了石墨烯和铜的界面润湿性差、结合性弱的问题，所得石墨烯/铜合金材料展现出优良的导电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高导电材料领域，特别涉及一种金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法。

技术介绍

1、随着科技的进步，对高导电材料的需求不断增长。发展高导电铜材料有助于满足市场需求，推动相关产业的发展，从而创造更多的经济价值和社会效益。现阶段，超高导电铜材料的研究取得了一定的进展，但由于制备工艺和性能的不稳定等问题，这些材料还难以应用于实际。在现存的所有超高导电材料体系中，石墨烯增强的铜基复合材料最有望实现超高导电。但在以往的实例中，石墨烯对铜的电导率增强有限，其原因在于石墨烯与铜的界面润湿性差，难以发挥石墨烯的高载流子迁移率的性能。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，即采用与石墨烯拥有良好接触性质的金属作为调控材料，将调控金属以物理气相沉积(pvd)的形式微量地引入石墨烯/铜材料，并通过退火的方式调控石墨烯/铜界面性质，从而获得高导电石墨烯/铜材料，有效解决石墨烯和铜的界面润湿性差、结合性弱的技术问题。

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【技术保护点】

1.一种金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，其特征在于，步骤S1所述铜薄膜的厚度为500nm～5μm。

3.根据权利要求1所述的金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，其特征在于，步骤S2所述沉积方法包括电子束蒸发镀膜、磁控溅射镀膜或热蒸发中的一种。

4.根据权利要求3所述的金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，其特征在于，所述电子束蒸发镀膜工艺中铜的沉积速率为0.2～50nm/s；所述磁控溅射镀膜工艺中铜的沉积速率是2...

【技术特征摘要】

1.一种金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，其特征在于，步骤s1所述铜薄膜的厚度为500nm～5μm。

3.根据权利要求1所述的金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，其特征在于，步骤s2所述沉积方法包括电子束蒸发镀膜、磁控溅射镀膜或热蒸发中的一种。

4.根据权利要求3所述的金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，其特征在于，所述电子束蒸发镀膜工艺中铜的沉积速率为0.2～50nm/s；所述磁控溅射镀膜工艺中铜的沉积速率是2～100nm/s；所述热蒸发工艺中铜的沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁文韬，张翺，张学富，于庆凯，丁古巧，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：