一种石墨烯增强单晶铜丝的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种石墨烯增强单晶铜丝的制备方法，包括：在单晶铜丝表面原位生长石墨烯薄膜；所述单晶铜丝的直径为0.03～1.2mm；所述石墨烯薄膜的生长温度为1000～1070℃。本发明专利技术可提高单晶铜丝的电导率，保护铜丝免受外界环境的影响，以及节约金属铜原料降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于导电材料领域，特别涉及一种石墨烯增强单晶铜丝的制备方法。

技术介绍

1、单晶铜丝由单一连续晶粒构成，晶界缺陷极少，具有优异的导电性(接近铜的理论电导率)和延展性，尤其在高温或高频场景下电阻低、信号传输损耗小，是实现引线框架全铜化、全面替代集成电路中键合金丝的关键产品，在高保真电子电器方面也有重要的应用前景。但单晶铜丝的电阻率受到铜本征电阻率的限制很难继续降低，并且铜在空气中易氧化，严重影响单晶铜丝本身的电学性能。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种石墨烯增强单晶铜丝的制备方法，以提高单晶铜丝的电导率，保护铜丝免受外界环境的影响，以及节约金属铜原料降低成本。

2、本专利技术提供一种石墨烯增强单晶铜丝的制备方法，包括：在单晶铜丝表面原位生长石墨烯薄膜；所述单晶铜丝的直径为0.03～1.2mm；所述石墨烯薄膜的生长温度为1000～1070℃。

3、优选地，所述石墨烯薄膜为少层或多层石墨烯。

4、优选地，所述生长石墨烯薄膜的碳源包括甲烷、乙烯或乙本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种石墨烯增强单晶铜丝的制备方法，其特征在于，包括：在单晶铜丝表面原位生长石墨烯薄膜；所述单晶铜丝的直径为0.03～1.2mm；所述石墨烯薄膜的生长温度为1000～1070℃。

2.根据权利要求1所述的石墨烯增强单晶铜丝的制备方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜为少层或多层石墨烯。

3.根据权利要求1所述的石墨烯增强单晶铜丝的制备方法，其特征在于，所述生长石墨烯薄膜的碳源包括甲烷、乙炔、乙烯中的一种或多种组合。

4.根据权利要求1所述的石墨烯增强单晶铜丝的制备方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜具有石墨烯缺陷。

5.根据权利要求1所述的石墨烯增...

【技术特征摘要】

1.一种石墨烯增强单晶铜丝的制备方法，其特征在于，包括：在单晶铜丝表面原位生长石墨烯薄膜；所述单晶铜丝的直径为0.03～1.2mm；所述石墨烯薄膜的生长温度为1000～1070℃。

2.根据权利要求1所述的石墨烯增强单晶铜丝的制备方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜为少层或多层石墨烯。

3.根据权利要求1所述的石墨...

【专利技术属性】
技术研发人员：张学富，袁文韬，于庆凯，丁古巧，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：