一种高导电多晶铜线的制备方法技术

技术编号:46501401 阅读:5 留言:0更新日期:2025-09-26 19:16
本发明专利技术涉及一种高导电多晶铜线的制备方法,包括以下步骤:S1.将直径为50~2000μm的多晶铜线置于化学气相沉积系统中,在多晶铜线表面生长石墨烯薄膜,生长温度为350~650℃;S2.利用金属对生长有石墨烯薄膜的多晶铜线进行封装处理,形成封装金属层,从而制得高导电多晶铜线。本发明专利技术实现了超高导电铜线的制备,有利于拓展铜线的应用领域,对实现铜导线在微电子领域中的广泛应用有着重要意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于导电材料领域,特别涉及一种高导电多晶铜线的制备方法


技术介绍

1、金属铜具有高延展性、高导电性和高导热性、稳定性和可加工性等特点,广泛应用于各电力和通讯行业。在一些特殊信号领域,如信号传输领域对导线的电导率要求比较高。研究表明信号的高保真性与导线的导电率呈现正相关性,所以提高导线的导电率是提升信号线保真性的重要手段。目前提高金属导电率的方法主要有金属提纯法,单晶化法,元素掺杂法。金属提纯法和单晶化法已经达到了物理的极限,很难再提高。而元素掺杂法虽然可以在一定程度上提升导电率,但导电率的稳定性较差。目前的这些传统的方法对金属导线电导率的提升都非常有限。石墨烯作为一种具有超高力学性能和导电性能的二维材料,是金属复合材料理想的增强相。研究表明石墨烯与金属铜可以形成互补的两种材料并且可以对铜金属进行有效掺杂。

2、现有的制备石墨烯铜复合材料的技术主要有以下几个方面:将石墨烯粉体通过物理或者化学方法与金属进行复合,再将这种金属进行热压冷拔等后工艺处理得到铜线。但这种方法得到的石墨烯铜线,其强度和导热性有所提高,但其导电性并没有提高,主要是本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高导电多晶铜线的制备方法,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的高导电多晶铜线的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述生长温度为500~650℃。

3.根据权利要求1所述的高导电多晶铜线的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述石墨烯薄膜为1~4层石墨烯。

4.根据权利要求1所述的高导电多晶铜线的制备方法,其特征在于,步骤S1所述生长石墨烯薄膜的碳源包括甲烷、乙烯或者乙炔中的一种或者几种的组合。

5.根据权利要求1所述的高导电多晶铜线的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述金属包括铜、镍或铁中的一种或几种的组合。>

6.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种高导电多晶铜线的制备方法,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的高导电多晶铜线的制备方法,其特征在于,步骤s1中所述生长温度为500~650℃。

3.根据权利要求1所述的高导电多晶铜线的制备方法,其特征在于,步骤s1中所述石墨烯薄膜为1~4层石墨烯。

4.根据权利要求1所述的高导电多晶铜线的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁文韬张学富于庆凯丁古巧
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
类型:发明
国别省市:

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