衬底处理方法技术

一种在衬底上形成膜的方法，包括在反应室中提供衬底，并且通过重复循环至少一次在衬底上形成膜，其中形成膜包括向衬底供应包含胺和催化剂的硅源，然后向衬底供应氧源，同时从功率发生器向反应室施加第一功率。该方法还包括在形成膜之前对衬底进行衬底处理，其中形成在衬底上的膜是氧化硅。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及衬底处理方法，更具体地，涉及促进衬底上的膜形成并增加膜生长速率的方法。

技术介绍

1、随着半导体器件的线宽持续变窄，对沿着器件结构的表面精确且保形地形成薄膜的需求正在增加。为此，原子层沉积(以下称为ald)方法已经广泛用于在半导体器件的表面上形成薄膜。在ald方法中，通过表面反应在表面上形成单层膜，并且重复该工序。因此，在半导体器件的表面上保形地形成膜。除了常规的ald方法以外，还介绍了等离子体增强ald(以下称为peald)方法。在peald方法中，至少一种处理气体由功率激活以促进在低温下形成膜。

2、ald和peald方法基于交替且顺序地供应每种处理气体的逐层过程来进行，重复该过程直至实现目标厚度。然而，在ald和peald方法中，膜生长速率低于cvd(化学气相沉积)方法中的膜生长速率，导致实现目标厚度的处理时间长且产量低。

技术实现思路

1、本公开公开了形成膜的方法，更具体地，公开了促进膜形成并增加衬底上的膜生长速率的方法。

2、在一个或多个实施例中，形成膜的方法可以通本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在衬底上形成膜的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在供应所述硅源的同时供应所述催化剂。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述催化剂包含氮和氢。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述催化剂包括以下中的至少一种：NH3、NH4、N2H2、N2H4、(CH3)3CNH2、(CH3)3CCH2NH2、(CH3)2CHNH2、CH3CH2CH2NH2、CH3CH2NH2、CH3NH2、C2H5NHC2H5、CH3NHCH3、(C2H5)3N、(CH3)3N、C7H13N、C10H21NH2、C5H5N、(CH3)2NC5H4N、(...

【技术特征摘要】

1.一种在衬底上形成膜的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在供应所述硅源的同时供应所述催化剂。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述催化剂包含氮和氢。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述催化剂包括以下中的至少一种：nh3、nh4、n2h2、n2h4、(ch3)3cnh2、(ch3)3cch2nh2、(ch3)2chnh2、ch3ch2ch2nh2、ch3ch2nh2、ch3nh2、c2h5nhc2h5、ch3nhch3、(c2h5)3n、(ch3)3n、c7h13n、c10h21nh2、c5h5n、(ch3)2nc5h4n、(ch3)2nc6h5、ch3nhc6h5、nh2nh2c6h5、(c6h5)3n、(c6h5)nh(c6h5)或其混合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化硅膜在衬底上的生长速率为约/循环或更大。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氧化硅膜在衬底上的生长速率为约/循环或更大。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述膜之前，通过在从所述功率发生器向所述反应室施加第二功率的同时向衬底供应处理气体来对衬底执行表面处理，其中执行表面处理重复至少一次。

8.根据权利要求7所述的方法，在向所述反应室施加所述第二功率的同时，执行所述表面处理约1秒或更少。

9.根据权利要求8所述的方法，在向所述反应室施加所述第二功率的同时，执行所述表面处理约0.2秒或更少。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述处理气体包含氮和氢。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述处理气体包含以下中的至少一种：n2和h2的混合物、nh3、nh4、n2h2、n2h4、(ch3)3cnh2、(ch3)3cch2nh2、(ch3)2chnh2、ch3ch2ch2nh2、ch3ch2nh2、ch3nh2、c2h5nhc2h5、ch3nhch3、(c2h5)3n、(ch3)3n、c7h13n、c10h21nh2、c5h5n、(ch3)2nc5h4n、(ch3)2nc6h5、ch3nhc6h5、...

【专利技术属性】
技术研发人员：松久快生，T·贾玛，安达涉，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：