一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元制造技术

本发明专利技术公开了一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元，包括第一反相器，第二反相器，第一NMOS传输门晶体管，第二NMOS传输门晶体管以及第一本征MOS管。第一NMOS传输门晶体管源极/漏极耦接第一反相器的输入端，漏极/源极耦接第一位线，栅极耦接字线；第二NMOS传输门晶体管源极/漏极耦接所述第二反相器的输入端，漏极/源极耦接第二位线，栅极耦接字线；第一本征MOS管源极/漏极耦接于第一反相器的输入端，漏极/源极耦接于第二反相器的输出端，栅极耦接于第一反相器的输入端。本发明专利技术可以有效提高静态随机存储单元抗单粒子翻转的能力。

【技术实现步骤摘要】
一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种抗单粒子翻转效应的静态随机存储单元。
技术介绍
静态随机存储单元(SRAM单元)是最常用的半导体存储器，它具有速度快，功耗低等优点。目前业界最常见SRAM单元结构为六管SRAM，如图1所示，它由6个晶体管组成。其中PMOS晶体管P11和NMOS晶体管N11构成第一反相器INV1，PMOS晶体管P22和NMOS晶体管N22构成第二反相器INV2。两个反相器交叉互锁，即第一反相器INV1的输出端S1与第二反相器INV2的输入端(即PMOS晶体管P22和NMOS晶体管N22的栅极)相连，INV2的输出端S2与INV1的输入端Q（即PMOS晶体管P11和NMOS晶体管N11的栅极）相连。第一反相器INV1的输出端S1通过第二传输门晶体管N24与位线相连，第二反相器INV2的输出端S2通过第一传输门晶体管N13与位线BL相连，而两个传输门晶体管均为NMOS管，其栅极均由字线WL控制，当字线WL为高电位“1”时，传输门晶体管导通，SRAM单元进入读写状态。然而，当SRAM单元工作于辐射环境中时，高能粒子轰击单元的敏感区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元，包括第一反相器与第二反相器，其特征在于，还包括：第一NMOS传输门晶体管，其源极/漏极耦接所述第一反相器的输入端，漏极/源极耦接第一位线，栅极耦接字线；第二NMOS传输门晶体管，其源极/漏极耦接所述第二反相器的输入端，漏极/源极耦接第二位线，栅极耦接所述字线；以及第一本征MOS管，其源极/漏极耦接于所述第一反相器的输入端，漏极/源极耦接于所述第二反相器的输出端，栅极耦接于所述第一反相器的输入端。

【技术特征摘要】
1.一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元，包括第一反相器与第二反相器，其特征在于，还包括：第一NMOS传输门晶体管，其源极/漏极耦接所述第一反相器的输入端，漏极/源极耦接第一位线，栅极耦接字线；第二NMOS传输门晶体管，其源极/漏极耦接所述第二反相器的输入端，漏极/源极耦接第二位线，栅极耦接所述字线；第一本征MOS管，其源极/漏极耦接于所述第一反相器的输入端，漏极/源极耦接于所述第二反相器的输出端，栅极耦接于所述第一反相器的输入端；以及第二本征MOS管，其源极/漏极耦接于所述第一反相器的输入端，漏极/源极耦接于所述第二反相器的输出端，栅极耦接于所述字线。2.根据权利要求1所述的静态随机存储单元，其特征在于，所述第一反相器包括第一PMOS晶体管与第一NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极接电源，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡少坚，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：