SRAM中子单粒子效应试验控制方法与装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及SRAM中子单粒子效应试验控制方法，包括：S1：对器件的多个控制参数进行设置与计算；S2：在完成设置与计算的多个控制参数组合的约束条件下对器件进行控制。本发明专利技术明确规定了试验应当控制的参数条件以及约束各参数的控制方法，优化并提出了完整的试验过程控制理论方法，保证了试验结果的正确性，也为保证航空/航天系统在空间环境中系统可靠性研究奠定了基础。本发明专利技术还公开了SRAM中子单粒子效应试验控制装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及自动控制
，尤其涉及SRAM中子单粒子效应试验控制方法与装置。
技术介绍
目前，为了研究SRAM的敏感特性，国内目前用14MeV能量的中子来代替实际空间环境中的中子对SRAM进行辐照试验。在试验过程中，如何控制试验参数、约束试验条件，保证试验结果精确性成为进行有效研究的重要前提。目前国内单粒子效应的研究尚属初步阶段，更没有建立完整的试验结果精确性控制体系。因此，从试验参数的确定于控制方法入手，制定了一套试验过程控制理论，可以保证试验结果的正确性，进而为保证航空/航天系统在空间环境中的系统可靠性打下坚实基础。具体地，SRAM是机载电子设备的关键核心器件，其工作状态将直接影响所在设备的功能。然而在3km-20km的飞行高度中，在大气中子的作用下，SRAM的敏感功能块将会产生单粒子效应，造成软件错误与硬件故障。进一步地，SRAM的敏感位是存储单元，在实际的空间环境中，每种敏感功能块都有可能发生单粒子翻转。然而在现阶段的模拟实验中，我们只针对设备上的某一个或者某几个的敏感器件上的部分敏感功能块进行辐照试验，并没有全面考虑所有的敏感功能块所能造成的危害；另一方面，在进行辐照试验时，没有对器件总位数B进行严格讨论，没有给出错误数N，累计注量F的控制方法，也没有对试验截止条件Nend，Fend进行理论分析，这些都将导致试验程序的规范性不足，进而影响试验结果的准确性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是如何从试验应当控制的参数以及出参数控制方法入手，优化一套试验过程控制理论，既能保证试验结果的正确性，又能保证航空/航天系统在空间环境中的系统可靠性的关键问题。为此目的，本专利技术提出了SRAM中子单粒子效应试验控制方法，包括具体以下步骤：S1：对器件的多个控制参数进行设置与计算；S2：在完成设置与计算的多个控制参数组合的约束条件下对器件进行控制。具体地，所述多个控制参数包括：错误数观测值N、未防护位B、注量率F、器件敏感功能块数i、错误类型数j、试验截止检测错误数Nend以及截止注量Fend。进一步地，所述错误数观测值N由公式计算获得，所述公式为：N＝N0*[错误传递率/(软件用例覆盖率*软件用例测试覆盖率)]，其中，N0为初始错误数观测值，所述错误传递率、软件用例覆盖率以及软件用例测试覆盖率均为试验联调联试时的获取值。进一步地，所述未防护位B由公式计算获得，所述公式为：B＝B0*资源利用率*未防护率，其中，B0为真实的配置工作位数，所述资源利用率以及未防护率均为试验联调联试时的获取值。进一步地，所述注量率F由公式计算获得，所述公式为：F=Netartea×1.25×1074π×R2]]>其中，F为试验器件接收到的中子累积注量，单位为n/cm2；Netarea为监测到的靶源产生的α粒子数；R为试验器件到靶源的距离，单位为cm。进一步地，所述试验截止检测错误数Nend以及截止注量Fend的获取具体为：首先，在器件不可重复抽样的情况下，显著水平α＝0.05，置信度CL＝1-α时，根据置信区间的定义，建立计算模型：Φ-1(α2)·1N·B-NB-1≤ϵ]]>再次，将及代入建立计算模型进行整理，得到公式：1.96N=1.96σ·B·F≤ϵ]]>最终，根据预设表中不同精度的对应值获取所述截止检测错误数Nend以及截止注量Fend。为此目的，本专利技术提出了SRAM中子单粒子效应试验控制装置，包括：设置计算模块，用于对器件的多个控制参数进行设置与计算；控制模块，用于在完成设置与计算的多个控制参数组合的约束条件下对器件进行控制。具体地，所述多个控制参数包括：错误数观测值N、未防护位B、注量率F、器件敏感功能块数i、错误类型数j、试验截止检测错误数Nend以及截止注量Fend。本专利技术公开SRAM中子单粒子效应试验控制方法，通过确规定了试验应当控制的参数条件以及约束各参数的控制方法，优化并提出了完整的试验过程控制理论方法，保证了试验结果的正确性，也为保证航空/航天系统在空间环境中系统可靠性研究奠定了基础。本专利技术还公开了SRAM中子单粒子效应试验控制装置。附图说明通过参考附图会更加清楚的理解本专利技术的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本专利技术进行任何限制，在附图中：图1示出了本专利技术实施例中的SRAM中子单粒子效应试验控制方法的步骤流程图；图2示出了本专利技术实施例中的SRAM中子单粒子效应试验控制装置的结构框图。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的实施例进行详细描述。为了更好的理解与应用本专利技术提出的SRAM中子单粒子效应试验控制方法与装置，以如下附图示例进行详细说明。如图1所示，本专利技术提供了SRAM中子单粒子效应试验控制方法，包括具体以下步骤：步骤S1：对器件的多个控制参数进行设置与计算。具体地，多个控制参数包括：错误数观测值N、未防护位B、注量率F、器件敏感功能块数i、错误类型数j、试验截止检测错误数Nend以及截止注量Fend。进一步地，错误数观测值N由公式计算获得，公式为：N＝N0*[错误传递率/(软件用例覆盖率*软件用例测试覆盖率)]，其中，N0为初始错误数观测值，错误传递率、软件用例覆盖率以及软件用例测试覆盖率均为试验联调联试时的获取值。更进一步地，错误数观测值N的影响因素很多，主要包括：器件结构，即厂家、年代、型号、工艺尺寸的器件样品，需要监测的器件功能块，单粒子效应种类；未防护位，即所有可能执行功能的bit位(总bit位数、资源利用率)、防护措施及未防护bit位；测试用例，即输入、输出、测试指令、错误判据、软件用例覆盖率、软件用例测试覆盖率；数据处理，即为获得准确的观测值N，需要做好器件预估工作，初步掌握影响因素的作用。更进一步地，在程序中规避重大错误。重点相关试验程序包括：器件预估，即掌握器件结构、未防护位、测试用例、数据处理方法，写入《试验大纲》；联调联试，即联调联试记录相关信息，写入《试验前检查表》；试验现场调试，即试验现场核对，写入《试验现场调试记录表》；试验现场监测，即试验现场监测，写本文档来自技高网...

【技术保护点】
SRAM中子单粒子效应试验控制方法，其特征在于，包括具体以下步骤：S1：对器件的多个控制参数进行设置与计算；S2：在完成设置与计算的多个控制参数组合的约束条件下对器件进行控制。

【技术特征摘要】
1.SRAM中子单粒子效应试验控制方法，其特征在于，包括具
体以下步骤：
S1：对器件的多个控制参数进行设置与计算；
S2：在完成设置与计算的多个控制参数组合的约束条件下对器件
进行控制。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个控制参数包
括：错误数观测值N、未防护位B、注量率F、器件敏感功能块数i、
错误类型数j、试验截止检测错误数Nend以及截止注量Fend。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述错误数观测值N
由公式计算获得，所述公式为：
N＝N0*[错误传递率/(软件用例覆盖率*软件用例测试覆盖率)]，
其中，N0为初始错误数观测值，所述错误传递率、软件用例覆盖率以
及软件用例测试覆盖率均为试验联调联试时的获取值。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述未防护位B由公
式计算获得，所述公式为：
B＝B0*资源利用率*未防护率，其中，B0为真实的配置工作位数，
所述资源利用率以及未防护率均为试验联调联试时的获取值。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述注量率F由公式
计算获得，所述公式为：
F=Netarea×1.25×1074π×R2]]>其中，F为试验器件接收到的中子累积注量，单位为n...

【专利技术属性】
技术研发人员：王群勇，薛海红，陈冬梅，阳辉，
申请(专利权)人：北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11