抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路制造技术

本发明专利技术公开一种抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路，其包括反相单元和抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元，反相单元包括信号输入端和信号输出端，信号输出端输出的信号反相于信号输入端输入的信号；抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元包括：四个PMOS管，可与上述四个PMOS管构成电平转换模块的四个NMOS管，以及可与上述四个PMOS管构成抗单粒子效应模块的四个NMOS管。亚阈值的初始信号经过反相器得到反相信号，将初始信号及其反相信号作为输入，经过电平转换单元能够实现从亚阈值到超阈值的电平转换，并且具有抗单粒子效应的效果。本发明专利技术可在传统电平转换器基础上进行改造，防止单粒子效应导致的输出错误。

【技术实现步骤摘要】
201610201862

【技术保护点】
抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路，包括反相单元，和抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元，其中：反相单元包括信号输入端和信号输出端，信号输出端输出的信号反相于信号输入端输入的信号；抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元包括：四个PMOS管，定义为第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管；与上述四个PMOS管构成电平转换模块的四个NMOS管，定义为第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；以及与上述四个PMOS管构成抗单粒子效应模块的四个NMOS管，定义为第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管；四个PMOS管的源极分别连接电源；第一PMOS管的漏极连接第五NMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极，和第四PMOS管的栅极，并作为第一输出节点；第二PMOS管的漏极连接第六NMOS管的漏极、第五NMOS管的栅极，和第七NMOS管的栅极，并作为第二输出节点；第三PMOS管的漏极连接第七NMOS管的漏极、第六NMOS管的栅极，和第八NMOS管的栅极，并作为第三输出节点；第四PMOS管的漏极连接第八NMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极，和第三PMOS管的栅极，并作为第四输出节点；第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管的源极分别接地；第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管的源极分别接地，漏极分别对应连接第一输出节点、第二输出节点、第三输出节点和第四输出节点；第一NMOS管和第三NMOS管的栅极分别连接反相单元的信号输出端，第二NMOS管和第四NMOS管的栅极分别连接反相单元的信号输入端。...

【技术特征摘要】
1.抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的CMOS电平转换电路，包括反相单元，和抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元，其中：反相单元包括信号输入端和信号输出端，信号输出端输出的信号反相于信号输入端输入的信号；抗单粒子效应的从亚阈值到超阈值的电平转换单元包括：四个PMOS管，定义为第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管；与上述四个PMOS管构成电平转换模块的四个NMOS管，定义为第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；以及与上述四个PMOS管构成抗单粒子效应模块的四个NMOS管，定义为第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管；四个PMOS管的源极分别连接电源；第一PMOS管的漏极连接第五NMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极，和第四PMOS管的栅极，并作为第一输出节点；第二PMOS管的漏极连接第六NMOS管的漏极、第五NMOS管的栅极，和第七NMOS管的栅极，并作为第二输出节点；第三PMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海滨，戴茜茜，张学武，李庆武，刘小锋，孙洪文，华迪，
申请(专利权)人：河海大学常州校区，
类型：发明
国别省市：江苏;32