【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本公开要求2014年12月18日提交的“IntegratedCircuitwithNoLeakageSpareCells”的美国临时申请第62/093,943号的权益,在此通过参考将该临时申请整体引入。
本公开总体上涉及具有备用电路单元的集成电路。更具体而言,本公开涉及当备用电路单元处于激活模式或处于非激活模式时用于备用电路单元的集成电路的供电轨和导电结构的配置。
技术介绍
本文提供的
技术介绍
用于一般性地呈现本公开的上下文的目的。当前所称的专利技术人的工作在本
技术介绍
章节中描述该工作的程度上,以及在提交时可能不会被另外认定为现有技术的本描述的方面,既不明确地也不隐含地被承认为相对于本公开的现有技术。集成电路是通过基于一组掩膜执行多个形成和去除工艺而制造的。该组掩膜是基于集成电路的布局设计而制备的,该布局设计包括表明集成电路的各种特征的尺寸和形状的布局图案的层。布局设计可以包括用于形成电子组件的多个布局层和用于形成电连接该电子组件的互连结构的多个布局层。在一些应用中,通过基于集成电路的电路原理图执行放置和布线程序来生成布局设计。除了用于形成电路原理图中指示的电路组件的布局图案之外,在一些应用中,还向集成电路的布局设计添加用于形成备用电路单元的布局。备用电路单元(在本公开中也简称为“备用单元”)是与初始电路原理图中的任意部分都不对应的电路单元。然而,当基于工程改动命令< ...
【技术保护点】
一种集成电路,包括:多个功能电路单元,所述功能电路单元中的单元分别包括:一组第一电互连晶体管,限定第一逻辑组件,所述一组第一电互连晶体管通过形成在所述集成电路的第一导电层中的第一组导电线而互连;和第一供电轨,被配置为承载第一供电电压,所述一组第一电互连晶体管通过形成在所述集成电路的第二导电层中的电互连而电耦合到所述第一供电轨;以及多个非激活的备用功能电路单元,所述非激活的备用功能电路单元中的单元分别包括:一组第二电互连晶体管,被配置为限定第二逻辑组件,所述一组电互连晶体管通过形成在所述第一导电层中的第二组导电线而互连;和第二供电轨,被配置为承载所述第一供电电压,所述一组第二电互连晶体管与所述第二供电轨断开电连接。
【技术特征摘要】
2014.12.18 US 62/093,9431.一种集成电路,包括:
多个功能电路单元,所述功能电路单元中的单元分别包括:
一组第一电互连晶体管,限定第一逻辑组件,所述一组第
一电互连晶体管通过形成在所述集成电路的第一导电层中的第一组
导电线而互连;和
第一供电轨,被配置为承载第一供电电压,所述一组第一
电互连晶体管通过形成在所述集成电路的第二导电层中的电互连而
电耦合到所述第一供电轨;以及
多个非激活的备用功能电路单元,所述非激活的备用功能电路
单元中的单元分别包括:
一组第二电互连晶体管,被配置为限定第二逻辑组件,所
述一组电互连晶体管通过形成在所述第一导电层中的第二组导电线
而互连;和
第二供电轨,被配置为承载所述第一供电电压,所述一组
第二电互连晶体管与所述第二供电轨断开电连接。
2.根据权利要求1所述的集成电路,还包括:
一个或多个激活的备用功能电路单元,所述激活的备用功能电
路单元中的单元分别包括:
一组第三电互连晶体管,被配置为限定第三逻辑组件,所
述一组第三电互连晶体管通过形成在所述第一导电层中的第三组导
电线而互连,其中相应的激活的备用功能电路单元在所述集成电路
的前一版本中被设置为非激活的备用功能电路;和
所述第二供电轨,其中所述一组第三电互连晶体管通过形
成在所述集成电路的所述第二导电层中的电互连而电耦合到所述第
二供电轨。
3.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述一组第二电互连
晶体管的配置具有与对应的一组第三电互连晶体管的配置相同的配
\t置。
4.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述第一逻辑组件、
所述第二逻辑组件和所述第三逻辑组件分别被配置为提供相同的逻
辑功能性。
5.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述第一逻辑组件、
所述第二逻辑组件和所述第三逻辑组件分别被配置为提供不同的逻
辑功能性。
6.根据权利要求1所述的集成电路,其中
所述第二供电轨被布置在所述第一导电层中;以及
所述非激活的备用功能电路单元中的至少一个包括:
第一导电线,在所述第二导电层中并与所述第二供电轨电
耦合;
第二导电线,在所述第二导电层中并与对应的一组第二电
互连晶体管电耦合,所述第一导电线和所述第二导电线对齐但彼此
隔开。
7.根据权利要求1所述的集成电路,其中
所述第二供电轨被布置在所述第一导电层中;以及
所述非激活的备用功能电路单元中的至少一个包括:
导电线,在所述第二导电层中与对应的一组第二电互连晶
体管电耦合,所述导电线的一部分与所述第二供电轨重叠但与所述
第二供电轨断开电连接。
8.一种集成电路,包括:
互连结构,包括:
第一供电轨,被配置为承载第一供电电压;
第二供电轨,被配置为承载与所述第一供电电压不同的第
二供电电压;和
导电结构;以及
多个晶体管,所述多个晶体管在备用电路单元的第一供电节点
和第二供电节点之间电互连,所述第二供电节点与所述第二供电轨
\t电耦合,
导电结构,被配置为当所述备用电路单元处于激活模式时将所
述第一供电节点与所述第一供电轨电耦合,并且当所述备用电路单
元处于非激活模式时不将所述第一供电节点与所述第一供电轨电耦
合。
9.根据权利要求8所述的集成电路,其中
所述第一供电轨在所述第一导电层中,以及
所述导电结构包括:
第一导电线,在第二导电层中,所述第一导电层和所述第
二导电层在不同的层中;
第一过孔,将所述第一导电线与所述第一供电轨电耦合;
第二导电线,在所述第二导电层中;以及
第二过孔,将所述第二导电线与所述第一供电节点电耦合,
其中当所述备用电路单元处于所述激活模式时,所述导电结构
还包括第三导电线,所述第三导电线在所述第二导电层中被配置为
物理地连接所述第一导电线和所述第二导电线,以及
当所述备用电路单元处于所述非激活模式时,所述导电结构不
包括所述第三导电线,并且所述第一导电线和所述第二导电线彼此
断开电连接。
10.根据权利要求9所述的集成电路,其中
所述第一导电层在所述多个晶体管上方;以及
所述第二导电层在所述第一导电层上方。
11.根据权利要求8所述的集成电路,其中
所述第一供电轨在所述第一导电层中,以及
所述导电结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·平卡,R·罗曾兹瓦伊格,
申请(专利权)人:马维尔国际贸易有限公司,
类型:发明
国别省市:巴巴多斯;BB
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