半导体装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够抑制电源电压上升之后高电平信号非意图地输出的半导体装置及电子设备。半导体装置包括：第一缓冲电路、电平转移电路及第二缓冲电路。通过对第一缓冲电路供给第一电位，并对电平转移电路及第二缓冲电路供给第二电位，来恢复到原来的状态。在供给第二电位之前供给第一电位。通过先对第一缓冲电路供给第一电位，来成为能控制电平转移电路及第二缓冲电路的工作的状态，由此抑制高电平信号非意图地输出到连接到第二缓冲电路的布线。

【技术实现步骤摘要】
201510941255

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：第一缓冲电路；电平转移电路；第二缓冲电路；以及第一布线、第二布线及第三布线，其中，所述电平转移电路及所述第二缓冲电路的每一个与所述第二布线及所述第三布线电连接，其中，通过将供给到所述第一布线的电位从第三电位转换为第一电位，对所述第一缓冲电路施加电源电压，其中，通过将供给到所述第二布线的电位从所述第三电位转换为第二电位，对所述电平转移电路及所述第二缓冲电路施加电源电压，其中，在将供给到所述第一布线的所述电位从所述第三电位转换为所述第一电位之后，将供给到所述第二布线的所述电位从所述第三电位转换为所述第二电位，其中，所述第二电位比所述第一电位高，并且，其中，所述第三电位比所述...

【技术特征摘要】
2014.12.16 JP 2014-2543941.一种半导体装置，其包括：
第一缓冲电路；
电平转移电路；
第二缓冲电路；以及
第一布线、第二布线及第三布线，
其中，所述电平转移电路及所述第二缓冲电路的每一个与所述第二布线及所述第三布
线电连接，
其中，通过将供给到所述第一布线的电位从第三电位转换为第一电位，对所述第一缓
冲电路施加电源电压，
其中，通过将供给到所述第二布线的电位从所述第三电位转换为第二电位，对所述电
平转移电路及所述第二缓冲电路施加电源电压，
其中，在将供给到所述第一布线的所述电位从所述第三电位转换为所述第一电位之
后，将供给到所述第二布线的所述电位从所述第三电位转换为所述第二电位，
其中，所述第二电位比所述第一电位高，
并且，其中，所述第三电位比所述第一电位及所述第二电位低。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其还包括：
存储单元，
其中所述存储单元包括第一晶体管，
其中所述存储单元在与关闭状态下的所述第一晶体管连接的节点中保持对应于数据
的电荷，
并且，其中所述第二缓冲电路与所述第一晶体管的栅极电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一晶体管在沟道形成区中包含氧化
物半导体。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中所述电平转移电路包括第二晶体管，
并且，其中所述第二晶体管包含硅。
5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上広树，松嵜隆德，长塚修平，石津贵彦，大贯达也，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP