一种超高速模拟单向可控硅及其制作方法技术

本发明专利技术是一种超高速模拟单可控硅其及制作方法，它由三极管V1-V2、电阻R1-R4和二极管VD1-VD5组成，电阻R1下端与三极管V2发射极相连构成模拟可控硅的阴极K；电阻R2上端与三极管V1发射极相连构成模拟可控硅的阳极A；三极管V1的基极同时接电阻R2下端和二极管VD1的阳极；二极管VD1阴极接二极管VD2阳极；三极管V1集电极同时接二极管VD4阳极和二极管VD3阳极；二极管VD2阴极与二极管VD3阴极同时接三极管V2集电极；二极管VD4阴极与二极管VD5阳极同时接电阻R1上端；二极管VD5阴极与电阻R3左端相连；电阻R3右端与电阻R4右端同时接三极管V2基极；电阻R4左端构成模拟可控硅的触发极G，作为高频脉冲信号输入端。本发明专利技术代替可控硅开关速度快两个数量级。

【技术实现步骤摘要】
201610244952

【技术保护点】
一种超高速模拟单向可控硅，它由两个三极管V1和V2、四个电阻R1‑R4，以及五个二极管VD1‑VD5组成，其特征在于各器件间的连接关系是：电阻R1的下端与三极管V2的发射极相连构成模拟可控硅的阴极K；电阻R2的上端与三极管V1的发射极相连构成模拟可控硅的阳极A；三极管V1的基极同时接电阻R2的下端和二极管VD1的阳极；二极管VD1的阴极接二极管VD2的阳极；三极管V1的集电极同时接二极管VD4的阳极和二极管VD3的阳极；二极管VD2的阴极与二极管VD3的阴极同时接于三极管V2的集电极；二极管VD4的阴极与二极管VD5的阳极同时接于电阻R1的上端；二极管VD5的阴极与电阻R3的左端相连；电阻R3...

【技术特征摘要】
1.一种超高速模拟单向可控硅，它由两个三极管V1和V2、四个电阻R1-R4，以及五个二极管VD1-VD5组成，其特征在于各器件间的连接关系是：
电阻R1的下端与三极管V2的发射极相连构成模拟可控硅的阴极K；电阻R2的上端与三极管V1的发射极相连构成模拟可控硅的阳极A；三极管V1的基极同时接电阻R2的下端和二极管VD1的阳极；二极管VD1的阴极接二极管VD2的阳极；三极管V1的集电极同时接二极管VD4的阳极和二极管VD3的阳极；二极管VD2的阴极与二极管VD3的阴极同时接于三极管V2的集电极；二极管VD4的阴极与二极管VD5的阳极同时接于电阻R1的上端；二极管VD5的阴极与电阻R3的左端相连；电阻R3的右端与电阻R4的右端同时接于三极管V2的基极；电阻R4的左端构成模拟可控硅的触发极G，作为高频脉冲信号的输入端。
2.根据权利要求1所述超高速模拟单向可控硅，其特征在于电阻R4为可调限流电阻。
3.根据权利要求1所述超高速模拟单向可控硅，其特征在于所述二极管VD1-VD5均为肖特基二极管。
4.根据权利要求1所述超高速模拟单向可控硅，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢鸿龄，牛林，刘祥明，
申请(专利权)人：红河学院，
类型：发明
国别省市：云南;53