可探硅调光最小角度启动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可探硅调光最小角度启动电路，涉及电路设计技术领域。本实用新型专利技术在普通直接采用上拉电阻充电方式的可控硅调光电路的基础上，当加入电阻RS63串接电容CS63和稳压二极管ZS61，利用电容特性，通交流、阻直流，上电充电瞬间基本处于短路状态，充满电后基本无电流通过处于开路状态，实现可控硅调光处于最小角度时，可控硅调光器开机启动快速充电。本实用新型专利技术具有在可控硅调光处于最小角度时，可开机启动快速充电，大大提高了客户对调光照明产品的体验感的特点。

Minimum angle starting circuit for detecting silicon dimming

The utility model discloses a minimum angle starting circuit for detecting silicon dimming, relating to the technical field of circuit design. The utility model in the ordinary direct pull-up resistor based charging SCR dimming circuit on the way, when adding resistor RS63 series capacitor CS63 and zener diode ZS61, the capacitance characteristics of AC, DC resistance, electric charge moment in short circuit state, after a full charge no current through in the open state and realize the SCR dimmer at the minimum angle, SCR dimmer boot fast charging. The utility model has the advantages that when the silicon controlled light is at a minimum angle, the utility model can start up and start charging quickly, thereby greatly improving the experience feeling of the customer switching lighting products.

【技术实现步骤摘要】
可探硅调光最小角度启动电路
本技术涉及电路设计
，尤其是涉及一种可控硅调光处于最小角度时，可开机启动快速充电的可探硅调光最小角度启动电路。
技术介绍
随着智能LED照明产品在市场上的强烈需求，各种宽电压、高精度的调光驱动器越来越受客户欢迎。客户对调光产品的人性化需求也越发重要。宽电压可控硅调光芯片在市场应用也比较多。但芯片启动回路在可控硅调光应用中，不能在可控硅调光处于最小角度时开机启动的功能，大大降低了客户对调光照明产品的体验感。如图1的所示的普通直接采用上拉电阻充电方式的可控硅调光电路，在正常120V、60HZ电源输入1个周期为16.66ms，半波时间为8.33ms。可控硅调节范围通常为30-140度，处于最小调光角度30度时，输入电源只有1.3ms周期电压，Vp峰值电压约为70V，Vrms有效值电压仅21V。调光芯片最小启动工作电压为10.5V。在最小调光状态DCBUS线电压Vp峰值经RS62给CS62充电，但由损耗原因RS62阻值在680K-2.2M之间，经RS66给Q61驱动极提供有效电压在5V左右，远远达不到10.5V启动电压，所以IC芯片不工作。要想将DCBUS上线电压21V给芯片供电启动工作，只有两种方法。1、是采用超小电阻，用电阻降压的方式给IC供电，但这种方式在输入电压达277V时，DCBUS线电压上Vp超400V,将在这个供电电阻上，产生巨大的损耗。2、是采用复合管的形式，让最小角度的Vp电压直接灌到VDD上充电，这种控制方式很复杂，成本很高。
技术实现思路
本技术的专利技术目的是为了克服现有技术中调光芯片在处于可控硅调节最小角度时，开机无法启动的不足，提供了一种可控硅调光处于最小角度时，可开机启动快速充电的可探硅调光最小角度启动电路。为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案：一种可探硅调光最小角度启动电路，包括交流电源，全桥整流电路，可控硅调光芯片IC，电阻RS62，电阻RS63，电阻RS66，MOSFET管Q61，极性电容C61，电容CS61，电容CS62，电容CS63和稳压二极管ZS61；所述交流电源经切相后的AC电压再经全桥整流电路后的得到DCBUS线电压；所述DCBUS线电压的一端分别与MOSFET管Q61的漏极、电阻RS62的一端和电阻RS63的一端电连接，MOSFET管Q61的源极分别与极性电容C61的正极端、电容CS61的一端和可控硅调光芯片IC的VDD接口电连接，电阻RS63另一端与电容CS63的一端电连接，电容CS63的另一端分别与MOSFET管Q61的栅极、稳压二极管ZS61的负极和电阻RS66的一端电连接，电阻RS62的另一端分别与电阻RS66的另一端、电容CS62的一端和可控硅调光芯片IC的BIAS接口电连接，电容CS62的另一端分别与稳压二极管ZS61的正极、极性电容C61的负极、电容CS61的另一端和可控硅调光芯片IC的PG接口电连接并接地。本技术中，在正常120V、60HZ电源输入1个周期为16.66ms，半波时间为8.33ms。可控硅调节范围通常为30-140度，处于最小调光角度30度时，输入电源只有1.3ms周期电压，Vp峰值电压约为70V，Vrms有效值电压仅21V。调光芯片最小启动工作电压为10.5V。在最小调光状态DCBUS线电压Vp峰值经RS62给CS62充电，但由损耗原因RS62阻值在680K-2.2M之间，经RS66给Q61驱动极提供有效电压在5V左右，远远达不到10.5V启动电压，所以IC芯片不工作。当加入RS63串接CS63和稳压管ZS61后，将很容易启动工作。CS63为高压电容，DCBUS线电压Vp约70V峰值，在峰值没到来时CS63基本无电状态，当Vp峰值到来时，由于充电瞬间电容相当于短路，充电能量很大，直接给Q61栅极提供一个高压电平，使Q61导通，快速将VDD充到10.5V以上，芯片开始工作。由于每个正弦周期内会有两次最小角度时的峰值电压，所以调节CS63和RS63大小，可确保可控硅调光器最小角度时芯片能达到最小启动电压10.5V的要求。当无调光器时，由于没有突变电压，CS63上电压会跟随DCBUS一样波形，只有很小的充电电流，不会造成线路高损耗和也不会影响Q61调光时的正常使能。本技术提供了一种简单的快充方式。其工作原理是利用电容特性：通交流、阻直流，上电充电瞬间基本处于短路状态，充满电后基本无电流通过处于开路状态。因此，本技术具有可以实现可控硅调光处于最小角度时，开机启动快速充电的功能，大大提高了客户对调光照明产品的体验感的特点。作为优选，所述电阻RS63为限流电阻；所述电阻RS63由1个电阻或多个电阻串联组成。其中RS63为限流电阻，由1个或多个组成，可调CS63充电电流。作为优选，所述电容CS63为高压电容。作为优选，所述稳压二极管ZS61为22V稳压二极管。稳压二极管ZS61主要为保护Q61栅极不过冲，造成MOSFET损坏。因此，本技术具有如下有益效果：可以实现可控硅调光处于最小角度时，开机启动快速充电的功能，大大提高了客户对调光照明产品的体验感。附图说明图1是普通直接采用上拉电阻充电方式的可控硅调光电路的电路原理图；图2是本技术的一种电路原理图；图3是本技术的一种典型应用的电路原理图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术做进一步的描述。如图2所示的实施例是一种可探硅调光最小角度启动电路，包括交流电源，全桥整流电路，可控硅调光芯片IC，电阻RS62，电阻RS63，电阻RS66，MOSFET管Q61，极性电容C61，电容CS61，电容CS62，电容CS63和稳压二极管ZS61；所述交流电源经切相后的AC电压再经全桥整流电路后的得到DCBUS线电压；所述DCBUS线电压的一端分别与MOSFET管Q61的漏极、电阻RS62的一端和电阻RS63的一端电连接，MOSFET管Q61的源极分别与极性电容C61的正极端、电容CS61的一端和可控硅调光芯片IC的VDD接口电连接，电阻RS63另一端与电容CS63的一端电连接，电容CS63的另一端分别与MOSFET管Q61的栅极、稳压二极管ZS61的负极和电阻RS66的一端电连接，电阻RS62的另一端分别与电阻RS66的另一端、电容CS62的一端和可控硅调光芯片IC的BIAS接口电连接，电容CS62的另一端分别与稳压二极管ZS61的正极、极性电容C61的负极、电容CS61的另一端和可控硅调光芯片IC的PG接口电连接并接地；所述电阻RS63为限流电阻；所述电阻RS63由1个电阻或多个电阻串联组成；所述电容CS63为高压电容；所述稳压二极管ZS61为22V稳压二极管。图3以ED-RT、20W、400-700I、20-42V、120-277V机种为例，采用可控硅调光器，切相后的AC电压，经全桥DS11、DS12、DS13、DS14整流后形成包洛DCBUS线电压，在正常120V、60HZ电源输入1个周期为16.66ms，半波时间为8.33ms。可控硅调节范围通常为30-140度，处于最小调光角度30度时，输入电源只有1.3ms周期电压，Vp峰值电压约为70V，Vrms有效值电压仅21V。调光芯片最小启动工作电压为10.5V。CS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可探硅调光最小角度启动电路，其特征是，包括交流电源，全桥整流电路，可控硅调光芯片IC，电阻RS62，电阻RS63，电阻RS66，MOSFET管Q61，极性电容C61，电容CS61，电容CS62，电容CS63和稳压二极管ZS61；所述交流电源经切相后的AC电压再经全桥整流电路后的得到DCBUS线电压；所述DCBUS线电压的一端分别与MOSFET管Q61的漏极、电阻RS62的一端和电阻RS63的一端电连接，MOSFET管Q61的源极分别与极性电容C61的正极端、电容CS61的一端和可控硅调光芯片IC的VDD接口电连接，电阻RS63另一端与电容CS63的一端电连接，电容CS63的另一端分别与MOSFET管Q61的栅极、稳压二极管ZS61的负极和电阻RS66的一端电连接，电阻RS62的另一端分别与电阻RS66的另一端、电容CS62的一端和可控硅调光芯片IC的BIAS接口电连接，电容CS62的另一端分别与稳压二极管ZS61的正极、极性电容C61的负极、电容CS61的另一端和可控硅调光芯片IC的PG接口电连接并接地。

【技术特征摘要】
1.一种可探硅调光最小角度启动电路，其特征是，包括交流电源，全桥整流电路，可控硅调光芯片IC，电阻RS62，电阻RS63，电阻RS66，MOSFET管Q61，极性电容C61，电容CS61，电容CS62，电容CS63和稳压二极管ZS61；所述交流电源经切相后的AC电压再经全桥整流电路后的得到DCBUS线电压；所述DCBUS线电压的一端分别与MOSFET管Q61的漏极、电阻RS62的一端和电阻RS63的一端电连接，MOSFET管Q61的源极分别与极性电容C61的正极端、电容CS61的一端和可控硅调光芯片IC的VDD接口电连接，电阻RS63另一端与电容CS63的一端电连接，电容CS63的另一端分别与MOSFET管Q61的栅极、...

【专利技术属性】
技术研发人员：林延军，
申请(专利权)人：浙江凯耀照明股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33