一种可控硅调光电路制造技术

本实用新型专利技术披露一种可控硅调光电路，所述可控硅调光电路包括电源模块、整流模块、调光模块和恒流模块，电源模块用以提供一输入电压，调光模块与电源模块电连接，调光模块用于将电源模块输出给整流模块的输入电压进行切相以实现调光，整流模块与调光模块电连接，整流模块用于将调光模块输出的电压进行整流以输出整流电压，恒流模块与整流模块电连接，用于驱动负载，并且使得流过负载的电流为恒定值；所述可控硅调光电路还包括：一泄放模块，与整流模块和恒流模块电连接，所述泄放模块用于根据流过恒流模块的电流大小调整流经泄放模块的电流或关断泄放模块，以使流过泄放模块的电流与流过恒流模块的电流之和大于等于调光模块工作的最小维持电流。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子
，尤其特别地，涉及一种可控硅调光电路。
技术介绍
可控硅调光类LED驱动芯片是为了兼容电子可控硅调光器的LED驱动电源。目前现有方法是基于开关电源的调光方案，然而，开关电源会存在如下缺陷：1）器件较多，较难做到小体积；2）传导辐射不容易达到要求；3）成本高、性价比低；4）泄放器的温度不受控，容易引起故障，进而导致整个系统无法正常工作。因此，亟需一种新型的可控硅调光电路以解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的在于，针对现有技术中存在的问题，提供一种可控硅调光电路，其通过提供可控硅的导通电流且结合外围电路以实现动态调整可控硅的维持电路，从而获得更低的驱动成本，更好的兼容性。且，具有可靠、稳定和高性价比的特点。为了实现上述目的，本技术提供一种可控硅调光电路，所述可控硅调光电路包括一电源模块、一整流模块、一调光模块和一恒流模块，所述电源模块用以提供一输入电压，所述调光模块与所述电源模块电连接，所述调光模块用于将所述电源模块输出给所述整流模块的输入电压进行切相以实现调光，所述整流模块与所述调光模块电连接，所述整流模块用于将所述调光模块输出的电压进行整流以输出整流电压，所述恒流模块与所述整流模块电连接，用于驱动负载，并且使得流过负载的电流为恒定值；所述可控硅调光电路包括：一泄放模块，分别与所述整流模块和恒流模块电连接，所述泄放模块用于根据流过恒流模块的电流大小调整流经所述泄放模块的电流或关断所述泄放模块，以使流过所述泄放模块的电流与流过所述恒流模块的电流之和大于等于所述调光模块工作的最小维持电流。在本技术的一实施例中，所述恒流模块通过一第一电阻电连接至所述泄放模块。在本技术的一实施例中，所述泄放模块包括：一MOS晶体管和一运算放大器；所述MOS晶体管的栅极电连接至所述运算放大器的输出端，所述MOS晶体管的源极电连接至所述运算放大器的正极输入端，所述MOS晶体管的漏极电连接至所述整流模块；所述运算放大器的负极输入端接一基准电压。在本技术的一实施例中，所述MOS晶体管的漏极通过一第二电阻电连接至所述整流模块。在本技术的一实施例中，所述泄放模块进一步包括一过温保护单元，所述过温保护单元电连接至所述泄放模块的运算放大器的负极输入端，所述过温保护单元用以检测所述泄放模块的温度，并当所述泄放模块的温度大于一设定温度阈值时发送一过温保护信号至泄放模块。在本技术的一实施例中，所述过温保护单元包括一电流源，所述电流源与所述运算放大器的负极输入端电连接，所述电流源用于当所述泄放模块的温度大于一设定温度阈值时，所述电流源提供一电流至所述运算放大器的负极输入端。在本技术的一实施例中，所述恒流模块和所述泄放模块设置在同一芯片。在本技术的一实施例中，所述恒流模块和所述泄放模块分别设置在不同的芯片。附图说明图1是本技术所述的可控硅调光电路的框架图；图2是本技术所述的可控硅调光电路的电路连接示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术提供的可控硅调光电路的具体实施方式做详细说明。参见图1所示，本技术提供一种可控硅调光电路，所述可控硅调光电路包括一电源模块10、一整流模块30、一调光模块20和一恒流模块40。所述电源模块10包括一交流电源，所述电源模块10用以提供一输入电压。所述调光模块20与所述电源模块10电连接，所述调光模块20包括一可控硅调光器21，所述可控硅调光器21用于将所述电源模块10输出给所述整流模块30的输入电压进行切相以实现调光。所述整流模块30与所述调光模块20电连接，所述整流模块30用于将所述调光模块20输出的电压进行整流以输出整流电压。在本实施例中，所述整流模块30包括一整流桥，其中所述整流桥包括一第一二极管D1、一第二二极管D2、一第三二极管D3和一第四二极管D4；所述第一二极管D1的负极与所述第二二极管D2的负极电连接，所述第二二极管D2的正极与所述第三二极管D3的负极电连接，所述第三二极管D3的正极与所述第四二极管D4的正极电连接，所述第四二极管D4的负极与所述第一二极管D1的正极电连接。所述恒流模块40与所述整流模块30电连接，用于驱动负载，并且使得流过负载的电流为恒定值。所述可控硅调光电路包括：一泄放模块50，分别与所述整流模块30和恒流模块40电连接，所述泄放模块50用于根据流过恒流模块40的电流大小调整流经所述泄放模块50的电流或关断所述泄放模块50，以使流过所述泄放模块50的电流与流过所述恒流模块40的电流之和大于等于所述调光模块20工作的最小维持电流。以下将具体说明可控硅调光电路的电路连接关系和工作原理。参见图2并结合图1所示，在本实施例中，所述恒流模块40通过一第一电阻R1电连接至所述泄放模块50。所述泄放模块50包括：一MOS晶体管M1和一运算放大器OP1。所述MOS晶体管M1的栅极电连接至所述运算放大器OP1的输出端，所述MOS晶体管M1的源极电连接至所述运算放大器OP1的正极输入端，所述MOS晶体管M1的漏极通过一第二电阻R2电连接至所述整流模块30。当然，在其他部分实施例中，所述MOS晶体管M1的漏极也可以直接电连接至所述整流模块30。所述运算放大器OP1的负极输入端接一基准电压Vref。所述运算放大器OP1的正极输入端通过所述第一电阻R1电连接至所述恒流模块40。可选的，所述泄放模块50进一步包括一过温保护单元51，所述过温保护单元51电连接至所述泄放模块50的运算放大器OP1的负极输入端，所述过温保护单元51用以检测所述泄放模块50的温度，并当所述泄放模块50的温度大于一设定温度阈值时发送一过温保护信号至泄放模块50。可选地，过温保护单元51也可以设置在所述泄放模块5的外部。进一步而言，所述过温保护单元51包括一电流源（图中未示），所述电流源与所述运算放大器OP1的负极输入端电连接，所述电流源用于当所述泄放模块50的温度大于一设定温度阈值时，所述电流源提供一电流至所述运算放大器OP1的负极输入端。以下将具体说明可控硅调光电路的工作原理：所述泄放模块50的运算放大器OP1的正极输入端通过第一电阻R1电连接至所述恒流模块40。所述运算放大器OP1的负极输入端连接一基准电压Vref。所述运算放大器OP1根据流过恒流模块40的电流大小而获得第一电阻R1的两端电压，并且经过运算放大后，提供至所述MOS晶体管M1的栅极，于是流过所述MOS晶体管M1的电流随着所述运算放大器OP1的输出电压的变化而变化，从而使得流过所述泄放模块50的电流与流过所述恒流模块40的电流之和大于等于所述调光模块20工作的最小维持电流。当所述调光模块20中的可控硅调光器21的调光角度较小（LED灯较暗）时，流过所述恒流模块40的电流较小，所述恒流模块40提供给所述第一电阻R1的浮动电压降低。因为所述运算放大器OP1的基准电压Vref恒定，而要使所述运算放大器OP1的正负输入端电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可控硅调光电路，所述可控硅调光电路包括一电源模块、一整流模块、一调光模块和一恒流模块，所述电源模块用以提供一输入电压，所述调光模块与所述电源模块电连接，所述调光模块用于将所述电源模块输出给所述整流模块的输入电压进行切相以实现调光，所述整流模块与所述调光模块电连接，所述整流模块用于将所述调光模块输出的电压进行整流以输出整流电压，所述恒流模块与所述整流模块电连接，用于驱动负载，并且使得流过负载的电流为恒定值，其特征在于，所述可控硅调光电路包括：一泄放模块，分别与所述整流模块和恒流模块电连接，所述泄放模块用于根据流过恒流模块的电流大小调整流经所述泄放模块的电流或关断所述泄放模块，以使流过所述泄放模块的电流与流过所述恒流模块的电流之和大于等于所述调光模块工作的最小维持电流。

【技术特征摘要】
1.一种可控硅调光电路，所述可控硅调光电路包括一电源模块、一整流模块、一调光模块和一恒流模块，所述电源模块用以提供一输入电压，所述调光模块与所述电源模块电连接，所述调光模块用于将所述电源模块输出给所述整流模块的输入电压进行切相以实现调光，所述整流模块与所述调光模块电连接，所述整流模块用于将所述调光模块输出的电压进行整流以输出整流电压，所述恒流模块与所述整流模块电连接，用于驱动负载，并且使得流过负载的电流为恒定值，其特征在于，所述可控硅调光电路包括：
一泄放模块，分别与所述整流模块和恒流模块电连接，所述泄放模块用于根据流过恒流模块的电流大小调整流经所述泄放模块的电流或关断所述泄放模块，以使流过所述泄放模块的电流与流过所述恒流模块的电流之和大于等于所述调光模块工作的最小维持电流。
2.根据权利要求1所述的可控硅调光电路，其特征在于，所述恒流模块通过一第一电阻R1电连接至所述泄放模块。
3.根据权利要求1所述的可控硅调光电路，其特征在于，所述泄放模块包括：一MOS晶体管和一运算放大器；所述MOS晶体管的栅极电连接至所述运算放大器的输出端，所述MOS晶体管的源...

【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，张松，
申请(专利权)人：上海晶丰明源半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31