【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480060655
【技术保护点】
一种栅极驱动电路,对半导体器件的栅极进行驱动,具备:正电源,其用于所述半导体器件的正向偏置;负电源,其用于所述半导体器件的反向偏置;第1偏置电路,其输入栅极驱动信号,并根据该栅极驱动信号来输出所述正电源的电压或所述负电源的电压;电容器,其在所述第1偏置电路输出所述负电源的电压时,通过所述负电源的电压来充电;和第2偏置电路,其输入所述栅极驱动信号,并根据该栅极驱动信号来将所述正电源的电压或所述负电源的电压提供给所述半导体器件的栅极,所述第2偏置电路,在所述半导体器件接通的过渡期间的初始阶段,取代所述正电源的电压,将通过在从所述第1偏置电路输出的所述正电源的电压上叠加所述电容器的充电电压而被升压后的电压提供给所述半导体器件的栅极。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.13 JP 2013-2349551.一种栅极驱动电路,对半导体器件的栅极进行驱动,具备:
正电源,其用于所述半导体器件的正向偏置;
负电源,其用于所述半导体器件的反向偏置;
第1偏置电路,其输入栅极驱动信号,并根据该栅极驱动信号来输出所述正电源的电压
或所述负电源的电压;
电容器,其在所述第1偏置电路输出所述负电源的电压时,通过所述负电源的电压来充
电;和
第2偏置电路,其输入所述栅极驱动信号,并根据该栅极驱动信号来将所述正电源的电
压或所述负电源的电压提供给所述半导体器件的栅极,
所述第2偏置电路,在所述半导体器件接通的过渡期间的初始阶段,取代所述正电源的
电压,将通过在从所述第1偏置电路输出的所述正电源的电压上叠加所述电容器的充电电
压而被升压后的电压提供给所述半导体器件的栅极。
2.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其中,
积累于所述电容器的电荷量,是在所述半导体器件接通时该半导体器件的栅极电压达
到平台电压为止所需的电荷量以下。
3.一种电力变换装置,其使用了权利要求1或2所述的栅极驱动电路。
4.一种栅极驱动电路,对半导体器件的栅极进行驱动,具备:
正电源;
负电源;
第...
【专利技术属性】
技术研发人员:森本笃史,
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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