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本发明是一种超高速模拟单可控硅其及制作方法，它由三极管V1-V2、电阻R1-R4和二极管VD1-VD5组成，电阻R1下端与三极管V2发射极相连构成模拟可控硅的阴极K；电阻R2上端与三极管V1发射极相连构成模拟可控硅的阳极A；三极管V1的基极...
该专利属于红河学院所有，仅供学习研究参考，未经过红河学院授权不得商用。

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