【技术实现步骤摘要】
201510028725
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：第一N型层，所述第一N型层形成在半导体基板上；第一P型层，所述第一P型层形成在所述第一N型层上；第二N型层，所述第二N型层形成在所述第一P型层上；第二P型层，所述第二P型层形成在所述第一P型层上；第一电极，所述第一电极与所述第二N型层连接；以及第二电极，所述第二电极与所述第二P型层连接。
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：第一N型层，所述第一N型层形成在半导体基板上；第一P型层，所述第一P型层形成在所述第一N型层上；第二N型层，所述第二N型层形成在所述第一P型层上；第二P型层，所述第二P型层形成在所述第一P型层上；第一电极，所述第一电极与所述第二N型层连接；以及第二电极，所述第二电极与所述第二P型层连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一N型层与所述半导体装置的外部电绝缘。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，当通过所述第一电极和所述第二电极向所述半导体装置施加电压时，在所述第一N型层与所述第一P型层接触的区域附近形成第一耗尽...
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