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本发明实施例提供一种半导体装置以及电子设备，所述半导体装置包括：第一N型层，其形成在半导体基板上；第一P型层，其形成在所述第一N型层上；第二N型层，其形成在所述第一P型层上；第二P型层，其形成在所述第一P型层上；第一电极，其与所述第二N型层...
该专利属于三垦电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三垦电气株式会社授权不得商用。

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