半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

从基体正面侧向p+阳极层(7)进行氩(8)的离子注入(8a)，形成缺陷层(9)。这时，在之后的铂扩散工序中，将氩(8)的飞程设为比p+阳极层(7)的扩散深度(Xj)浅，以使铂原子(11)局部存在于p+阳极层(7)的、与n‑漂移层(6)的pn结附近的电子进入区域内。之后，使涂布于基体背面(5a)的铂膏(10)中的铂原子(11)扩散到p+阳极层(7)内，并局部存在于缺陷层(9)的阴极侧。由此，p+阳极层(7)的寿命变短。另外，n‑漂移层(6)内的铂原子(11)被缺陷层(9)捕获，使得n‑漂移层(6)的铂浓度降低，n‑漂移层(6)内的寿命变长。因此，能够减小反向恢复电流，缩短反向恢复时间，并降低正向压降。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201580003544

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，形成在所述第一半导体层的第一主面的表面层，且杂质浓度比所述第一半导体层高；含有氩的氩导入区，从所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的pn结朝向所述第一主面侧形成预定的深度，所述预定的深度使所述氩导入区的厚度比所述第二半导体层薄，铂从所述第一半导体层延伸而扩散至所述第二半导体层，且具有在所述氩导入区成为最大浓度的铂浓度分布。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.17 JP 2014-1469291.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，形成在所述第一半导体层的第一主面的表面层，且杂质浓度比所述第一半导体层高；含有氩的氩导入区，从所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的pn结朝向所述第一主面侧形成预定的深度，所述预定的深度使所述氩导入区的厚度比所述第二半导体层薄，铂从所述第一半导体层延伸而扩散至所述第二半导体层，且具有在所述氩导入区成为最大浓度的铂浓度分布。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述预定的深度是从所述pn结朝向所述第一主面对所述第二半导体层的杂质浓度进行积分而得的值成为所述第二半导体层的临界积分浓度的位置。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，从所述pn结朝向所述第一主面侧至所述预定的深度为止的长度为第一导电型载流子在所述第二半导体层中的扩散长度。4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，在第一导电型的第一半导体层的第一主面的表面层选择性地形成第二导电型的第二半导体层；第二工序，从所述第一主面侧进行氩的离子注入，从所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的pn结朝向所述第一主面侧，至预定的深度形成含有氩的氩导入区，所述预定的深度使所述氩导入区的厚度比所述第二半导体层薄；以及第三工序，使铂从所述第一半导体层的第二主面侧扩散到所述第二半导体层的内部。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第三工序中，在所述第二主面涂布膏状的所述铂，通过热处理使所述铂扩散到所述第二半导体层的内部，并局部存在于所述氩导入区。6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第三工序中，所述热处理的温度在800℃以上且1000℃以下。7.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第二工序中，所述氩的飞程处于从所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗林秀直，北村祥司，小野泽勇一，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP