北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司专利技术

北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司共有68项专利

  • 本发明提供一种多智能体强对抗仿真方法、装置及电子设备,其中所述方法包括:从对抗仿真引擎获取多轮演示对抗回放数据,并基于所述对抗回放数据,采用生成对抗网络技术,训练获取神经网络策略模型;利用所述神经网络策略模型,模拟所述多智能体在强对抗过...
  • 本发明提供一种多智能体对抗神经网络训练方法及装置,该方法包括:对影响智能体的RMS指标进行分析,提取影响总体性能的关键指标,并确定关键指标的取值;采用蒙特卡洛方法,模拟多智能体在关键指标情况下的实际状态;根据实际状态,对构建的多智能体对...
  • 本发明实施例提供一种DVL安装角的不确定性优化逆可靠性评估方法及装置,所述方法包括:确定功能函数在当前迭代点的当前梯度;基于当前迭代点和当前梯度,确定当前迭代点对应的当前迭代夹角;若当前迭代夹角小于等于预设阈值,则将当前迭代点作为功能函...
  • 本发明实施例提供一种无人机战队对抗中个体失效率与战队胜率的关系确定方法,该方法包括:通过确定第一无人机战队与第二无人机战队在没有个体失效率的情况下的自对弈博弈中第一无人机战队的胜率p作为胜率基线;然后,再通过MC‑MC仿真方法,确定第一...
  • 本发明实施例提供了一种开关寿命评估方法及系统,所述方法首先获取开关的固有属性参数以及外界环境对开关的影响因子,然后基于固有属性参数以及影响因子,评估出开关的寿命。通过本发明实施例中提供的开关寿命评估方法评估出开关的寿命,反映了热、电、温...
  • 本发明实施例提供一种电线电缆可靠性评估方法和装置,其中方法包括:基于电线电缆的自身参数,获取电线电缆的基础失效率;基于电线电缆的热应力因子、温度循环应力因子、机械应力因子、湿度应力因子和化学应力因子中的至少一种,获取电线电缆的环境应力因...
  • 本发明实施例提供一种半导体器件的辐射损伤可靠性评估方法及装置,所述方法包括:获取在预设试验应力水平值条件下进行试验得到的样品生存概率值;将所述预设试验应力水平值,所述样品生存概率值,以及半导体器件的累计辐射剂量的预估值,输入至预设计算模...
  • 本发明实施例提供一种获取器件中子单粒子效应截面的方法及装置。方法包括:确定待测器件的类别;根据所述类别对应的中子单粒子效应NSEE截面公式,获取所述待测器件的NSEE截面;其中,所述NSEE截面公式根据样本器件的NSEE截面历史数据拟合...
  • 本发明实施例提供一种地面至空中100公里飞行器单粒子效应影响的评估方法,包括:基于评价对象对应的最终评价对象的中子辐射单粒子效应故障率指标预测值,获取评价对象对应的最终评价对象的评价值;基于评价值和评价对象对应的最终评价对象的中子辐射单...
  • 本发明实施例提供一种中子单粒子效应故障率的评估方法及评估装置,该方法包括:获取评估对象NSEE截面;根据所述NSEE截面和应用环境下的中子注量率,计算所述评估对象的NSEE故障率;其中,所述NSEE截面是根据所述评估对象中元器件的中子单...
  • 本发明涉及SRAM型FPGA中子单粒子效应试验控制方法,包括:S1:对器件的多个控制参数进行设置与计算;S2:在完成设置与计算的多个控制参数组合的约束条件下对器件进行控制。本发明明确规定了试验应当控制的参数条件以及约束各参数的控制方法,...
  • 本发明涉及电源单粒子效应测试技术领域,公开了一种二次电源单粒子效应测试方法,包括:S1、DSP处理模块在接收到控制信号之后,启动A/D转换模块和FPGA模块;S2、A/D转换模块采集被测二次电源所输入的电压信号,并将采集到的电压信号进行...
  • 本发明提供一种确定辐射敏感器件抗辐射性能指标的方法,该方法包括:通过试验获取多个样本器件的辐射失效水平,并计算辐射失效水平的对数ln(RFAILi)、对数平均值和标准差建立以样本数n、置信度c和生存概率p的单边置信区间KTL(c,n,p...
  • 本发明提供了一种CPU中子单粒子效应试验方法,该CPU中子单粒子效应试验方法包括:S1:配置CPU中的内部存储部件,在所述内部存储部件中写入初始值,回读所述内部存储部件中的写入值得到第一回读结果;S2:进行辐照,辐照第一预设的注量后,回...
  • 本发明提供了一种SRAM中子单粒子效应试验方法,该SRAM中子单粒子效应试验方法包括:S1:配置SRAM,在所述SRAM中写入初始值,回读所述SRAM中的写入值得到第一回读结果;S2:进行辐照,辐照第一预设的注量后,回读所述SRAM中的...
  • 本发明提供了一种SRAM型FPGA中子单粒子效应试验方法,该SRAM型FPGA中子单粒子效应试验方法包括:S1:配置SRAM型FPGA,在所述SRAM型FPGA中写入初始值,回读所述SRAM型FPGA中的写入值得到第一回读结果;S2:进...
  • 本发明涉及一种空间辐射环境可靠性分析方法,以解决如何提高空间辐射环境可靠性分析结果的准确性。该方法包括:S1、将空间辐射环境下电子系统中预设层级的分析对象按照故障预警修复方式分为若干个组别;S2、计算预设层级的每一组别在空间辐射环境中的...
  • 本发明提供了一种获取大气中子单粒子效应敏感器件敏感截面的方法及装置,包括:采用预定辐射源进行地面模拟实验,获取在预定辐射源辐射下敏感器件敏感截面的观测值σ观测,并监测所述模拟实验中敏感器件的单粒子效应错误个数Nend;根据所述单粒子效应...
  • 本发明提供一种利用试验数据获取单粒子效应器件敏感截面的方法及装置,采用预定辐射源进行地面模拟实验,获取敏感器件敏感截面的观测值σ观测,并监测实验中敏感器件的单粒子效应错误个数Nend;将采用美国Los Alamos实验室中子辐射源获得的...
  • 本发明涉及SRAM中子单粒子效应试验控制方法,包括:S1:对器件的多个控制参数进行设置与计算;S2:在完成设置与计算的多个控制参数组合的约束条件下对器件进行控制。本发明明确规定了试验应当控制的参数条件以及约束各参数的控制方法,优化并提出...