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本发明公开了一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元，包括第一反相器，第二反相器，第一NMOS传输门晶体管，第二NMOS传输门晶体管以及第一本征MOS管。第一NMOS传输门晶体管源极/漏极耦接第一反相器的输入端，漏极/源极耦接第一位线，栅极耦接字...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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