【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于非挥发性静态随机存取存储器(Non-Volatile Static RandomAccess Memory, NVSRAM)及其操作方法,特别地,单一非挥发性元件(non-volatileelement)内建于传统静态随机存取存储器单元(SRAM cell)中而形成本专利技术非挥发性静态随机存取存储器单元(NVSRAM cell)。本专利技术的复数个非挥发性静态随机存取存储器单元可被整合为一紧密存储器阵列。因为本专利技术的非挥发性静态随机存取存储器单元的新结构,可省去传统非挥发性静态随机存取存储器单元使用的切换元件,该切换元件是用来隔离将静态随机存取存储器单元与写入和抹除动作时的高电压,同时,也简化非挥发性静态随机存取存储器单元的操作。本专利技术的非挥发性静态随机存取存储器单元兼具传统静态随机存取存储器读/写的速度及非挥发性元件的非挥发特性。
技术介绍
半导体存储器已经广泛地应用在电子系统。电子系统需要半导体存储器来储存指令和数据,该些指令和数据是复杂运算过程的控制基本功能所衍生出来。半导体存储器可分为挥发性存储器和非挥发性存储器。挥发性存储器包 ...
【技术保护点】
一种非挥发性静态随机存取存储器单元,其特征在于,所述的非挥发性静态随机存取存储器单元包含:一静态随机存取存储器元件,包含:一闩锁器,设有两个输出节点;以及两个存取晶体管,各所述存取晶体管耦接在所述两个输出节点的其一与一对位线的其一之间;以及一非挥发性存储器元件,耦接在所述两个输出节点的其一与一电压线之间。
【技术特征摘要】
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