可变电阻存储器设备及其驱动方法技术
【技术实现步骤摘要】
本公开涉及包括存储元件的可变电阻存储器设备，该存储元件的电阻由于在存储元件的相对端施加设置在不同极性的信号而改变，并且本公开涉及用于驱动该可变电阻存储器设备的方法。
技术介绍
已知一种具有包括在可变电阻存储器设备的每个存储器单元内的存储元件的可变电阻存储器设备，所述存储元件充当电阻由于导电离子(conductive ions)注入绝缘膜或这样的离子从绝缘膜撤出而变化的存储元件。对于关于可变电阻存储器设备的更多信息，参见诸如 K. Aratani 等 “A Novel Resistance Memory with High Scalability andNanosecond Switching”，Technical Digest IEDM 2007,第 783 页到第 786 页上的 文献。存储元件具有层积结构(laminated structure),其中在两个电极之间的位置形成用于提供导电离子和绝缘膜的层。以上提到的每个存储器单元被配置为包括在第一和第二线之间的位置彼此串联连接的存储元件和存取晶体管，所述第一和第二线可通过采用有源矩阵驱动方法来驱动。由于存储器...
【技术保护点】
一种可变电阻存储器设备，包括：存储器阵列部分，包括使用存储元件的主存储器单元，所述存储元件的电阻根据施加到该存储元件的相对端的设置在不同极性的信号，以可逆的方式增大或减小；以及参考单元部分，包括配备有存储元件的参考单元，所述存储元件的电阻根据施加到该存储元件的相对端的设置在不同极性的信号，以可逆的方式增大或减小，并且该参考单元部分生成用于识别主存储器单元的数据的参考电流，其中根据参考单元的电阻状态设置充当参考电流的所施加电流的方向。
【技术特征摘要】
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