本实用新型专利技术公开了一种应用于成像盒的高速存储装置及其成像盒，该高速存储装置具有接口部、第一存储区域和读写控制部，该第一存储区域的被配置成包含至少两个存储分段，该一个存储分段的大小对应1套成像信息或一次写入操作的数据长度，构成该第一存储区域的为flash存储器。本实用新型专利技术通过利用flash存储器取代现有的替代FRAM方案，并在flash存储器中配置多个存储分段的方式，使得打印机的数据可以快速写入到成像盒的高速存储装置上，不需要复杂的结构，减少了占用电路板的面积，缩小了电路板的尺寸，并有效地降低了成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及打印耗材领域，更具体地说，涉及一种用于与打印机通信的安装在成像盒上的高速存储装置。
技术介绍
现在的打印行业中，为了识别在打印机上安装的成像盒是否为打印机支持的，往往在成像盒上安装有可拆卸的存储装置，该存储装置是用来存储成像盒相关的数据，例如成像盒中着色剂颜色，剩余着色剂量、生产日期和制造厂商等信息，在成像盒安装到打印机后，存储装置与打印机能进行数据信息的交换。现有部分用在成像盒上的存储装置，采用了铁电存储器FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)来存储成像盒相关的数据,FRAM的特点是速度快,能够像易失性存储器(例如SRAM，静态随机访问存储器)一样操作，又具有非易失性存储器(例如EEPR0M，电可擦可编程只读存储器)掉电后仍能保存数据的特性。但由于受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问次数限制的问题，而且目前国内的铁电技术发展相对落后，目前市面上使用的都是由美国Ramtron公司生产或授权生产，致使FRAM的制造成本很高。中国专利申请号为200920161000. 4的说明书公开了一种利用易失性存储器作为高速缓存进行数据暂存的方案，根据该方案，通过蓄电模块、易失性存储器和非易失性存储器三个部分实现并替代FRAM，但是由于EEPROM的擦写速度慢，在没有外部供电的情况下，该方案需要大容量电池(或电容)给易失性存储器供电，以维持易失性存储器的数据有效并将暂存在易失性存储器中的数据保存到EEPROM中。由此可见，通过蓄电模块、易失性存储器和非易失性存储器三个部分实现并替代FRAM的方案，并不能有效地降低成本，多个部分的设置，需要占用较多电路板面积，从而使得电路板尺寸变大，这不符合电子产品小型化的趋势。
技术实现思路
为克服现有替代FRAM方案中成本高、结构复杂及占用电路板面积过大的不足，本技术提供一种高速存储装置，该高速存储装置不仅结构简单、成本低，还能够实现数据的高速存储。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是如下几种应用例I提供一种应用于成像盒的高速存储装置，该成像盒可拆卸地安装到打印机上，其中，该高速存储装置具有接口部、第一存储区域和读写控制部,其特征在于,该第一存储区域的被配置成包含至少两个存储分段，该一个存储分段的大小对应I套成像信息或一次写入操作的数据长度，构成该第一存储区域的为flash存储器。根据该结构，打印机第一次往高速存储装置执行写入操作写入数据时，若第一存储分段还没有存储数据，则将写入操作的数据直接写入由flash存储器构成的第一存储区域的第一存储分段，在第二次往高速存储装置写入数据时，不需要对上一次写入的数据进行擦除，而是写入下一个还没有存储数据的存储分段，即第一存储区域的第二存储分段，在第N次(N为2以上的预定整数)往高速存储装置写入数据时，将数据写入第一存储区域的第N存储分段，以此类推，直至第一存储区域不能再次被写入一个存储分段的数据(通俗地理解是写满数据时)。由于flash存储器具有与FRAM相当的写入速度，又具有与FRAM相对的读取速度，通过配置足够大的存储空间而不用对flash存储器的数据进行擦写，满足打印机对安装在成像盒上的高速存储装置的读写要求，并减少了电路板的尺寸，降低了成本，取得了较好的效益。在具体应用中，还可以在高速存储装置上配置一个蓄电模块，以保证数据的写入。应用例2如应用例I所述的高速存储装置，其中，·该高速存储装置还具有状态标志区域，所述状态标志区域具有写入和/或擦除标志，所述写入标志和擦除标志分别用于标记所述第一存储区域中的存储分段的数据的写入和擦除的情况。该读写控制部中具有第一擦除控制模块，该第一擦除控制模块控制擦除该第一存储区域中的数据，该第一擦除控制模块基于该状态标识区域标记的信息，即第一存储区域的写入状况，擦除第一存储区域中的一个或一个以上已经写入了数据的存储分段的数据。根据该结构，当第一存储区域中已经写入了若干存储分段的数据，由于打印机的电源供给，第一擦除控制模块可以擦除第一存储区域中已经写入数据的一个或一个以上的存储分段。这样新写入的数据可以写入到已经擦除的存储分段中，这样第一存储区域一部分存储分段用来写入，一部分已经写入数据的存储分段适时擦除，第一存储区域能够被循环利用，多次写入和擦除数据。通过这样的结构，可以配置容量较小的flash存储器。应用例3如应用例2所述的高速存储装置，其中，该高速存储装置还具有蓄电模块，蓄电模块连接接口部、读写控制部和第一存储区域，该蓄电模块在打印机对高速存储装置供电时积蓄电能，在该读写控制部对第一存储区域进行写入和/或擦除时给该高速存储装置供电。当打印机对高速存储装置写入数据时，若写入时间较短导致打印机供电时间过短，在打印机供电下与写入操作同时进行的其他存储分段的擦除操作就有可能被中断。根据该结构，由于蓄电模块可以积蓄电能，在打印机停止供电后，蓄电模块能够供电进行擦除操作，保证了擦除操作的完成，防止了出错。此外，若flash存储的写入速度跟不上打印机的写入速度，该蓄电模块的设置也可以保证写入操作的完整性。应用例4如应用例3所述的高速存储装置，其中，该高速存储装置还具有第二存储区域，该读写控制部具有第二擦除控制模块，该第二擦除控制模块控制擦除该第一存储区域和第二存储区域中的数据，该第二擦除控制模块基于该状态标识区域标记的信息，即第一存储区域和第二存储区域的写入状况，及蓄电模块的蓄电状况，擦除第一存储区域或第二存储区域中已经写入的数据。根据该结构，当第一存储区域不能再次被写入一个存储分段的数据时，读写控制部将打印机下一次往高速存储装置写入的数据写入第二存储区域，在第二存储区域不能再次被写入一个存储分段前(通俗地理解是写满数据之前)，当蓄电模块所积蓄的电能足以供给第二擦除控制模块擦除第一存储区域中的数据时，该第二擦除控制模块擦除第一存储区域中的数据。同样的方法，当第二存储区域写满数据时，继续往已经擦除数据的第一存储区域写入新的数据，当蓄电模块积蓄的电能足以擦除第二存储区域的数据时第二擦除控制模块擦除第二存储区域中的数据。以此类推，第一存储区域和第二存储区域能被循环写入和擦除，均衡了 flash存储器的擦写次数，在不大量增加存储容量的情况下提高了高速存储装置的使用寿命。应用例5如应用例1、3或4任一所述的高速存储装置，其中，该接口部包含电源线端口、第一充电模块和其他通信端口，该充电模块的输入端连接电源线端口和其他通信端口，接口部的输出端连接蓄电模块，所述其它通信端口包括时钟线端口、输入/输出数据线端口和复位线端口中的至少一个端口。根据该结构，除了利用接口部的电源线端口给蓄电模块充电，还充分利用了接口部的其他通信端口，使得可以将蓄电模块配置成具有更大的蓄电能力，而又不影响接口部对高速存储装置的电源供给。应用例6如应用例I、3或4任一所述的高速存储装置，其中，该接口部包含第二充电模块，该蓄电模块包含2个或2个以上的蓄电单元，该第二充电模块连接该蓄电模块，该第二充电模块依次给任一所述蓄电单元充电。根据该结构，蓄电模块包含多个容量小或者其中一个容量较小的蓄电单元，第二充电模块接口部所连接的打印机获取电能后，可以快速使得至少一个蓄电单元的电压达到可本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种应用于成像盒的高速存储装置，该成像盒可拆卸地安装到打印机上，所述高速存储装置具有接口部、第一存储区域和读写控制部，其特征在于，所述第一存储区域被配置成包含至少两个存储分段，所述一个存储分段的大小对应1套成像信息或一次写入操作的数据长度，其中：构成所述第一存储区域的为flash存储器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁励，
申请(专利权)人：珠海艾派克微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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