一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元制造技术

本发明专利技术提供一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元，所述存储单元至少包括：第一交叉耦合型反相器，由第一上拉管和第二上拉管组成；第二交叉耦合型反相器，由第一下拉管和第二下拉管组成；传输管，由第一存取管、第二存取管、第三存取管及第四存取管组成。本发明专利技术的静态随机存储器单元可以有效延长存储单元翻转所需要的反馈时间，在恢复时间不变的情况下可以提高存储单元的抗单粒子翻转能力；本发明专利技术的抗单粒子静态随机存储器单元所采取的工艺与数字逻辑工艺完全兼容，具有寄生电容小、功耗低、天然的抗单粒子闩锁能力的同时，不会增大额外工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于存储器设计
，涉及一种静态随机存储器单元，特别是涉及一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元。
技术介绍
传统的6T静态随机存储器单元，如图1所示，是由两个上拉管、下拉管和存取管构成；由于航天电子设备工作的环境恶劣，存储器单元饱受各种高能粒子的辐射；然而，存储器对高粒子辐射较为敏感。传统的存储器单元一般很难满足抗辐射要求；所以设计者常常在传统单元的基础上加以改进，以提高单元的抗辐射能力。单粒子效应和总剂量效应是辐射效应中的最常见也是最重要的两种。所谓单粒子效应，如图2所示，是指高能粒子入射到灵敏区(对于体硅器件来讲，灵敏区是指其漏端的反偏PN结；而对于绝缘体上硅器件来讲，是指器件关闭状态时的体区)时，粒子的能量被硅材料吸收，根据固体能带理论，处在价带的电子可以获得能量跃迁到导带，其对应的空穴则在价带内向下跃迁到更高能量的位置，这样电子和空穴都成了自由移动的载流子；由于周围电压施加电场的存在，使得自由移动的载流子做定向移动，形成电流，不过载流子的寿命有限，所以最终形成的电流是瞬态电流；瞬态电流在单元内的回路中造成电压降，使得所存储的数据发生变化，这种由于单个粒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元，其特征在于，所述存储器单元至少包括：第一交叉耦合型反相器，由第一上拉管和第二上拉管组成；第二交叉耦合型反相器，由第一下拉管和第二下拉管组成；传输管，由第一存取管、第二存取管、第三存取管及第四存取管组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈静，何伟伟，罗杰馨，王曦，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31