一种用于FPGA的可编程存储单元电路制造技术

本发明专利技术公开一种用于FPGA的可编程存储单元电路，该存储单元电路包括存储位置、电源、地；所述存储位置与地通过第一不可逆编程连接器件连接；所述存储位置与电源通过第二不可逆编程连接器件连接；在所述存储单元电路编程为0后，所述第一不可逆编程连接器件被不可逆编程为将所述存储位置与地永久连接；在所述存储单元电路编程为1后，所述第二不可逆编程连接器件被不可逆编程为将所述存储位置与电源永久连接。本发明专利技术通过以上技术方案，解决现有技术中用于FPGA的可编程存储单元电路安全性、可靠性偏低的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储单元电路，尤其涉及一种用于FPGA的可编程存储单元电路。
技术介绍
FPGA(现场可编程门阵列)是由规则的逻辑阵列所组成，可通过不同的配置数据来实现不同的电路逻辑设计的一种结构，FPGA按配置数据的配置方法主要可分为三类I.基于SRAM(静态随机存取存储器)工艺进行配置的FPGA，是指一种将配置数据先写入到FPGA芯片外的PROM (可编程只读存储器)中，在FPGA开始工作时再从PROM中将配置数据读入到SRAM中，从而使FPGA实现特定的电路功能。其缺点是掉电后配置数据会丢失，应用时需将配置数据从PROM读取到SRAM来完成FPGA配置；在受到高能粒子和宇宙射线干扰时，易发生单粒子翻转，导致其存储数据的翻转，造成存储数据由O变为1，或者由I变为0，从而发生软错误，造成系统崩溃，因此，抗干扰能力较差、数据可靠性和安全性较较低；系统功耗较大、芯片密集度较差。2.基于Flash (快闪电擦除可编程只读存储器)技术进行配置的FPGA，是指一种将配置数据直接写入FPGA芯片内集成的快闪EEPROM中，再用快闪EEPR0M(电擦除可编程只读存储器)来配置存储器SRAM，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于FPGA的可编程存储单元电路，其特征在于，包括存储位置、电源、地；所述存储位置与地通过第一不可逆编程连接器件连接；所述存储位置与电源通过第二不可逆编程连接器件连接；在所述存储单元电路编程为0后，所述第一不可逆编程连接器件被不可逆编程为将所述存储位置与地永久连接；在所述存储单元电路编程为1后，所述第二不可逆编程连接器件被不可逆编程为将所述存储位置与电源永久连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：傅啟攀，温长清，
申请(专利权)人：深圳市国微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：