一种电子可编程熔丝电路制造技术

本实用新型专利技术公开提供了一种电子可编程熔丝电路，所述电子可编程熔丝电路中，电路单元只包括熔丝单元和第一薄氧MOS管，每一列电路单元共用一个厚氧MOS管，与现有技术相比，极大的减小了厚氧MOS管的数量，解决了现有技术中每个电路单元均需采用厚氧MOS管而导致的占用电路面积的问题。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

—种电子可编程熔丝电路
本技术涉及电路保护领域，更具体的说是涉及一种电子可编程熔丝电路。
技术介绍
电子可编程溶丝(Electricallyprogrammable Fuse,E-fuse)是一种常被应用于 冗余电路中，用于改善芯片失效的熔丝，通常又被称为多晶硅熔丝，它是位于两个电极之间 很短的一段最小宽度的多晶娃。E-fuse电路是基于电迁移的原理，当没有电流流过时，熔丝(fuse)的电阻很小； 当有足够大的电流流过时，相关原子会随着电子运动的方向进行迁移而形成空洞，造成熔 丝短路，此时，fuse相当于一个大电阻。当芯片失效时，芯片中的E-fuse电路可以对芯片进行缺陷修复，在芯片运行错误 时，E-fuse电路实现对芯片的自动纠正，E-fuse电路通过相应的电路和信号控制写入逻辑 O或者逻辑1，并通过放大器读出，用来代替芯片相应的失效部分电路完成输入逻辑O或者 逻辑I的操作。E-fuse电路是由多个电路单元组成的，其中以电路单元为例进行说明，现有的电 路单元结构如图1所示，其中，NI为厚氧MOS管，NO为薄氧MOS管，RffL端控制电路的读操 作信号，WffL端控制电路的写本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子可编程熔丝电路，其特征在于，包括阵列单元和m个厚氧MOS管；其中：?所述阵列单元包括n×m个电路单元，所述电路单元包括熔丝单元和第一薄氧MOS管，所述熔丝单元的第一端与所述第一薄氧MOS管的漏极相连；?所述阵列单元中每一列电路单元中的熔丝单元的第二端连接第一电压发生端；每一列电路单元中的第一薄氧MOS管的源极与一个厚氧MOS管的漏极相连；所述阵列单元中每一行电路单元中的第一薄氧MOS管的栅极连接一个第一电平发射端；?所述m个厚氧MOS管的源极均接地，每一个厚氧MOS管的栅极连接一个第二电平发射端；其中，n和m均为正整数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张立军，汪齐方，王子欧，王媛媛，郑坚斌，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：实用新型
国别省市：