半导体集成电路及其驱动方法技术

一种半导体集成电路，包括：命令发生单元，其被配置成响应于第一命令而产生多个第二命令，每个第二命令用于指示相应的反熔丝电路的操作区段；以及多个反熔丝电路，每个反熔丝电路包括反熔丝，且被配置成接收相应的第二命令且响应于所接收的相应的第二命令而执行反熔丝的断裂操作。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术的示例性实施例涉及一种半导体设计技术，且更具体而言涉及一种半导体集成电路及其驱动方法。
技术介绍
一般而言，半导体集成电路附加地配备有冗余存储器单元，且执行用冗余存储器 单元替换有缺陷的存储器单元的修复操作，以便达成高的成品率。可以利用熔丝电路来执行修复操作。例如，可以使用通过使过电流流动至熔丝来切断熔丝的方法、通过使用激光束来熔断熔丝的方法、通过使用激光束来连接切断的熔丝的方法、或通过使用可擦除可编程只读存储器(EPROM)的方法来对熔丝编程。此处，由于通过使用激光束来熔断熔丝的方法简单且在熔断熔丝方面具有很好的可靠性，故广泛地使用这种方法。然而，通过使用激光束来熔断熔丝的方法只可以在封装半导体存储器件之前的晶片状态下执行。因此，引入了使用反型熔丝(在下文中被称为“反熔丝”)的方法。使用反熔丝的方法可以用在封装状态下用冗余存储器单元替换有缺陷的存储器单元。作为参考，反熔丝具有与熔丝相反的电特性。具体而言，反熔丝是一种在未编程状态下具有高于或等于100ΜΩ的高电阻而在编程状态下具有低于100ΚΩ的低电阻的阻变元件。也就是说，当用其中源极和漏极电连接的晶体管来实施反熔丝时，反熔丝可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路，包括：命令发生单元，所述命令发生单元被配置成响应于第一命令而产生多个第二命令，每个第二命令用于指示相应的反熔丝电路的操作区段；以及多个反熔丝电路，所述多个反熔丝电路每个都包括反熔丝，且被配置成接收相应的第二命令并且响应于所接收的相应的第二命令而执行所述反熔丝的断裂操作。

【技术特征摘要】
2011.07.26 KR 10-2011-00741991.一种半导体集成电路，包括 命令发生单元，所述命令发生单元被配置成响应于第一命令而产生多个第二命令，每个第二命令用于指示相应的反熔丝电路的操作区段；以及 多个反熔丝电路，所述多个反熔丝电路每个都包括反熔丝，且被配置成接收相应的第二命令并且响应于所接收的相应的第二命令而执行所述反熔丝的断裂操作。2.如权利要求I所述的半导体集成电路，其中，所述第一命令与时钟信号同步地触发预定的时间。3.如权利要求I所述的半导体集成电路，其中，所述第一命令的周期被设定成时钟信号的周期的N倍，N为自然数。4.如权利要求I所述的半导体集成电路，其中，所述多个第二命令通过将所述第一命令移位而顺序地产生。5.如权利要求I所述的半导体集成电路，其中，所述命令发生单元包括 源信号发生单元，所述源信号发生单元被配置成响应于复位信号和所述第一命令而产生源信号；以及 顺序命令输出单元，所述顺序命令输出单元被配置成响应于所述复位信号而被复位，且被配置成响应于所述第一命令和所述源信号而顺序地输出所述多个第二命令。6.如权利要求5所述的半导体集成电路，其中，所述源信号发生单元包括RS锁存器。7.如权利要求5所述的半导体集成电路，其中，所述顺序命令输出单元包括串联耦接的多个D触发器。8.如权利要求7所述的半导体集成电路，其中，所述顺序命令输出单元还包括反相器，所述反相器被配置成将所述复位信号反相以将反相的复位信号输出至所述D触发器的复位信号输入端子。9.如权利要求I所述的半导体集成电路，其中，所述反熔丝电路每个都包...

【专利技术属性】
技术研发人员：金渊郁，刘正宅，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：